[发明专利]真空装置、其压力控制方法和蚀刻方法

权利要求书

1.一种真空装置，其特征在于，具备：

收容被处理体、并且能够将内部保持真空的处理容器；

经由气体供给路径对所述处理容器内供给处理气体的气体供给源；

设置于所述气体供给路径上，对所述处理气体的供给流量进行调节的流量调节装置；

检测所述处理容器内的压力的压力检测装置；

经由排气路径与所述处理容器连接的排气装置；

设置于所述排气路径上，根据由所述压力检测装置检测出的压力值，自动地调节开度的自动压力控制阀；

监视所述自动压力控制阀的开度的开度监视部；和

根据所述开度监视部的监视结果，利用所述流量调节装置对供给的气体流量进行调节的流量控制部，

所述流量控制部在所述自动压力控制阀的开度上升了的情况下，反复执行控制所述流量调节装置的处理，使得所述处理气体的供给流量减少预先设定的减少量。

2.如权利要求1所述的真空装置，其特征在于：

所述流量控制部通过将所述自动压力控制阀的开度与规定的阈值进行比较而控制所述流量调节装置，使得所述处理气体的供给流量减少。

3.如权利要求1所述的真空装置，其特征在于：

还具备对所述自动压力控制阀的开度超过第一阈值的次数进行计数的计数部，

在所述计数的值超过第二阈值的情况下，所述流量控制部控制所述流量调节装置，使得所述处理气体的供给流量减少。

4.如权利要求1所述的真空装置，其特征在于：

还具备对规定的经过时间的范围内的所述自动压力控制阀的开度的增加率进行运算的开度运算部，

在所述开度的增加率超过第三阈值的情况下，所述流量控制部控制所述流量调节装置，使得所述处理气体的供给流量减少。

5.如权利要求1至4中任一项所述的真空装置，其特征在于：

所述真空装置为对被处理体进行蚀刻的蚀刻装置。

6.如权利要求5所述的真空装置，其特征在于：

被处理体为FPD用基板。

7.一种真空装置的压力控制方法，其特征在于：

所述真空装置具备：

收容被处理体、并且构成为能够将内部保持为真空状态的处理容器；

经由气体供给路径对所述处理容器内供给处理气体的气体供给源；

设置于所述气体供给路径上，对所述处理气体的供给流量进行调节的流量调节装置；

检测所述处理容器内的压力的压力检测装置；

经由排气路径与所述处理容器连接的排气装置；和

设置于所述排气路径上，根据由所述压力检测装置检测出的压力值，自动地调节开度的自动压力控制阀，

所述压力控制方法对所述处理容器内的压力进行控制，其中，

监视所述自动压力控制阀的开度，根据其结果，在所述自动压力控制阀的开度上升了的情况下，反复执行控制所述流量调节装置的处理，使得所述处理气体的供给流量减少预先设定的减少量。

8.如权利要求7所述的真空装置的压力控制方法，其特征在于：

通过将所述自动压力控制阀的开度与规定的阈值进行比较而进行控制，使得所述处理气体的供给流量减少。

9.如权利要求7所述的真空装置的压力控制方法，其特征在于：

对所述自动压力控制阀的开度超过第一阈值的次数进行计数，在计数得到的次数超过第二阈值的情况下，进行控制使得所述处理气体的供给流量减少。

10.如权利要求7所述的真空装置的压力控制方法，其特征在于：

在规定的经过时间的范围内所述自动压力控制阀的开度的增加率超过第三阈值的情况下，进行控制使得所述处理气体的供给流量减少。

11.如权利要求7至10中任一项所述的真空装置的压力控制方法，其特征在于：

所述真空装置为对被处理体进行蚀刻的蚀刻装置。

12.如权利要求11所述的真空装置的压力控制方法，其特征在于：

被处理体为FPD用基板。