[发明专利]一种化学气相沉积SiNx介电膜的装置

摘要

发明公开了一种化学气相沉积SiNx介电膜的装置，其特征在于：包括有反应室，在所述反应室内设有基片安装座，所述的基片安装座垂直于反应室长度方向设置，在所述的反应室上连接有等离子体激发室，所述的等离子体激发室开口正对所述基片安装座，在所述等离子体激发室上连接有等离子管，在所述等离子管上连接有波导管，在所述的波导管上设有磁体，在所述的等离子管上连接有第一反应气体进气管，在所述的基片安装座内设有基片加热器，所述的反应室与抽真空装置相连接，在所述的反应室上连接有第二反应气体进气管。本发明的目的是为了克服现有技术中的不足之处，提供一种结构简单，生产成本低，化学气相沉积SiNx介电膜的装置。

主权项

一种化学气相沉积SiNx介电膜的装置，其特征在于：包括有反应室（1），在所述反应室（1）内设有基片安装座（15），所述的基片安装座（15）垂直于反应室（1）长度方向设置，在所述的反应室（1）上连接有等离子体激发室（2），所述的等离子体激发室（2）开口正对所述基片安装座（15），在所述等离子体激发室（2）上连接有等离子管（3），在所述等离子管（3）上连接有波导管（4），在所述的波导管（4）上设有磁体（5），在所述的等离子管（3）上连接有第一反应气体进气管（6），在所述的基片安装座（15）内设有基片加热器（7），所述的反应室（1）与抽真空装置相连接，在所述的反应室（1）上连接有第二反应气体进气管（8）。