[发明专利]鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硬掩模，硬掩模具有条状图形以定义鳍的区域；在所述衬底及所述条状图形上形成与横跨所述条状图形的伪栅结构；以所述伪栅结构为掩模，对所述衬底进行离子注入，形成源、漏区；去除所述伪栅；对所述衬底进行刻蚀，形成多条具有一定高度的鳍；在所述多条鳍的上表面、侧壁上形成栅极介质层、金属栅极。本发明形成方法能够使光刻形成的伪栅形貌更佳；并且省去了源/漏区接触垫，避免了因源/漏区接触垫与金属栅极不平行导致的电阻、寄生电容变化对鳍式场效应晶体管性能的影响；通过进一步加工，还可以形成具有氧化石墨烯栅极介质层的双栅晶体管。

主权项

1.一种鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底上形成硬掩模，所述硬掩模具有用于形成鳍的条状图形，所述硬掩模的厚度小于所述鳍的高度；在所述衬底上形成横跨所述条状图形的伪栅结构，所述伪栅结构包括伪栅以及位于伪栅侧壁上的侧墙；以所述伪栅结构以及硬掩模为掩模，对所述衬底进行离子注入，形成源、漏区；在源、漏区的衬底上形成与伪栅结构齐平的层间介质层；去除所述伪栅，露出伪栅下方的硬掩模；以所述层间介质层及所述硬掩模为掩模，对所述衬底进行刻蚀，形成多个鳍以及位于鳍之间的多个沟槽；去除鳍上表面的硬掩模，在所述鳍的上表面和侧壁、所述沟槽的底部和侧壁以及侧墙侧壁形成栅极介质层；对所述沟槽进行金属填充，以形成金属栅极；进行化学机械研磨，直至露出所述鳍的上表面，使位于鳍不同侧壁上的金属栅极分离；去除位于所述鳍侧壁上的栅极介质层，在所述鳍与金属栅极之间形成缝隙；在所述缝隙中形成氧化石墨烯介质层。