[发明专利]带有通过电阻器电路互连的有源器件和隔离结构的半导体器件和驱动电路及其制作方法有效
| 申请号： | 201310540664.2 | 申请日： | 2013-11-05 |
| 公开（公告）号： | CN103811553B | 公开（公告）日： | 2019-02-26 |
| 发明（设计）人： | H·M·鲍德;陈伟泽;R·J·德苏扎;P·M·帕里斯 | 申请（专利权）人： | 恩智浦美国有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L21/76;H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 刘倜 |
| 地址： | 美国得*** | 国省代码： | 美国;US |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开涉及带有通过电阻器电路互连的有源器件和隔离结构的半导体器件和驱动电路及其制作方法。半导体器件和驱动电路的实施例包括有第一导电类型的半导体衬底、隔离结构（包括下沉区域和埋层）、位于包含在所述隔离结构的衬底的区域内的有源器件以及电阻器电路。所述埋层位于顶衬底表面下面，并且有第二导电类型。所述下沉区域延伸于所述顶衬底表面和所述埋层之间，并且有所述第二导电类型。所述有源器件包括体区域，该区域通过有所述第一导电类型的所述半导体衬底的一部分与所述隔离结构分开。所述电阻器电路连接在所述隔离结构和所述体区域之间。所述电阻器电路可以包括一个或多个电阻网络以及可选择地包括肖特基二极管和/或一个或多个与所述电阻网络串联和/或并联的PN结二极管。 | ||
| 搜索关键词： | 带有 通过 电阻器 电路 互连 有源 器件 隔离 结构 半导体器件 驱动 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底，有第一导电类型和顶衬底表面；埋层，位于所述顶衬底表面下面，其中所述埋层有不同于所述第一导电类型的第二导电类型；下沉区域，位于所述顶衬底表面和所述埋层之间，其中所述下沉区域有所述第二导电类型，并且隔离结构由所述下沉区域和所述埋层形成；有源器件，位于由所述隔离结构包含的所述半导体衬底的部分内，其中所述有源器件包括：所述第一导电类型的漂移区域，从所述顶衬底表面延伸到所述半导体衬底中；所述第一导电类型的漏极区域，从所述顶衬底表面延伸到所述漂移区域中；所述第二导电类型的体区域，从所述顶衬底表面延伸到位于所述漂移区域和所述隔离结构之间的所述半导体衬底中，其中所述体区域和所述隔离结构通过有所述第一导电类型的所述半导体衬底的一部分分开；和所述第一导电类型的源极区域，从所述顶衬底表面延伸到所述体区域中；以及电阻器电路，所述电阻器电路的第一端子耦合于所述体区域，以及所述电阻器电路的第二端子耦合于所述隔离结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩智浦美国有限公司，未经恩智浦美国有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310540664.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
