[发明专利]带有通过电阻器电路互连的有源器件和隔离结构的半导体器件和驱动电路及其制作方法

说明书

本公开涉及带有通过电阻器电路互连的有源器件和隔离结构的半导体器件和驱动电路及其制作方法。半导体器件和驱动电路的实施例包括有第一导电类型的半导体衬底、隔离结构（包括下沉区域和埋层）、位于包含在所述隔离结构的衬底的区域内的有源器件以及电阻器电路。所述埋层位于顶衬底表面下面，并且有第二导电类型。所述下沉区域延伸于所述顶衬底表面和所述埋层之间，并且有所述第二导电类型。所述有源器件包括体区域，该区域通过有所述第一导电类型的所述半导体衬底的一部分与所述隔离结构分开。所述电阻器电路连接在所述隔离结构和所述体区域之间。所述电阻器电路可以包括一个或多个电阻网络以及可选择地包括肖特基二极管和/或一个或多个与所述电阻网络串联和/或并联的PN结二极管。

技术领域

实施例通常涉及半导体器件及其制作方法，更具体地说，涉及带有隔离结构的横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)器件。

背景技术

在某些包括电感负载的片上系统（SOC）应用中，某些节点在切换期间可以会经历负电位，这可以会导致将显著的电流注入到衬底。注入到衬底的载荷子可以干扰相邻电路，从而不利地影响其运行。

因此，就不断需要可以克服这一困难和提供改进性能的改进的器件结构、材料以及制作方法。还期望采用的方法、材料以及结构与现今制作能力和材料相容，并且不需要对可用的制作程序进行实质性修改或不需要大幅增加制作成本。此外，结合附图和前述的技术领域和背景，从后续的详细说明书和所附的权利要求中来看，各个实施例的其它有利特征和特性将变得显而易见。

附图简要说明

结合以下附图，以下的实施例将会得到描述，其中类似的数字表示类似的元素，以及

图1根据实施例，是包括被配置以驱动包括电感负载的外部电路的驱动电路的电子系统的简化图；

图2根据实施例，是N型、横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（NLDMOSFET）的截面图，带有连接在NLDMOSFET的漏极区域和隔离结构之间的电阻器电路；

图3根据实施例，是图2的N LDMOSFET的简化电路表征；

图4根据替代实施例，是图2的N LDMOSFET的简化电路表征，带有包括与肖特基二极管串联的电阻网络的电阻器电路；

图5根据另一替代实施例，是图2的N LDMOSFET的简化电路表征，带有包括与肖特基二极管并联的电阻网络的电阻器电路；

图6根据另一替代实施例，是图2的NLDMOSFET的简化电路表征，带有包括与PN结二极管串联的电阻网络的电阻器电路；

图7根据另一替代实施例，是图2的NLDMOSFET的简化电路表征，带有包括与PN结二极管并联的电阻网络的电阻器电路；

图8根据实施例，是P型、横向扩散金属氧化物半导体场效应晶体管（PLDMOSFET）的截面图，带有连接在PLDMOSFET的源极区域和隔离结构之间的电阻器电路；

图9根据实施例，是图8的PLDMOSFET的简化电路表征；

图10根据替代实施例，是图8的PLDMOSFET的简化电路表征，带有包括与肖特基二极管串联的电阻网络的电阻器电路；

图11根据另一替代实施例，是图8的PLDMOSFET的简化电路表征，带有包括与肖特基二极管并联的电阻网络的电阻器电路；

图12根据替代实施例，是图8的PLDMOSFET的简化电路表征，带有包括与PN结二极管串联的电阻网络的电阻器电路；

图13根据另一替代实施例，是图8的PLDMOSFET的简化电路表征，带有包括与PN结二极管并联的电阻网络的电阻器电路；

图14根据替代实施例，是电子系统的简化图，其中该系统包括了被配置以驱动包括电感负载的外部电路的驱动电路；