[发明专利]以读代写的存储器纠错方法有效

专利信息
申请号: 201310537688.2 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN103594120B 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 亚历山大 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 杨引雪
地址: 710055 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明提供一种以读代写的存储器纠错方法,主要解决了现有ECC编码过程中由于数据屏蔽的存在,导致不能顺利进行编码产生监督位或产生监督位需增加存储阵列面积的问题。该以读代写的存储器纠错方法,包括以下步骤,读入外部数据,若存在数据屏蔽,则将未被屏蔽的外部数据写入存储阵列,同时将与被屏蔽的数据相应的数据从存储阵列中读出,然后再将写入的外部数据与读出的数据合并,ECC编码电路用此合并后的数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储整列并完全代替之前存储的信息;该以读代写的存储器纠错方法解决了数据屏蔽对ECC的影响,可以复用存储器已有的读写电路,只需加入DM对读的控制。
搜索关键词: 代写 存储器 纠错 方法
【主权项】:
1.一种以读代写的DRAM存储器纠错方法,包括以下步骤:1]读入外部数据,并判断是否存在数据屏蔽,若存在数据屏蔽则进入步骤2处理,若不存在数据屏蔽则进入步骤3处理:2]存在数据屏蔽时的纠错步骤:2.1]未被屏蔽的数据需要写入存储阵列,被屏蔽的数据不需要写入存储阵列;将未被屏蔽的数据写入存储器,此部分数据为写入数据;在写入数据的同时,将与被屏蔽的数据相对应位置的数据从存储阵列中读出,此部分数据为读出数据;2.2]将写入数据和读出数据进行合并,合并后的数据称为合并数据;合并数据的数据长度能满足ECC规则中产生监督位的需求;合并数据为当前地址在写入过程结束后最终存储在阵列中的数据;2.3]用合并数据按照ECC规则通过编码电路产生合并数据相应的ECC监督位;2.4]将写入数据和2.3]中产生的ECC监督位写入存储阵列中相应位置处,从而保证存储的数据和ECC监督位一一对应;3]由于并不存在数据屏蔽,所以外部数据直接写入,ECC编码电路用此外部数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储阵列并完全代替之前存储的信息。
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