[发明专利]以读代写的存储器纠错方法

权利要求书

1.一种以读代写的DRAM存储器纠错方法，包括以下步骤：

1]读入外部数据，并判断是否存在数据屏蔽，若存在数据屏蔽则进入步骤2处理，若不存在数据屏蔽则进入步骤3处理：

2]存在数据屏蔽时的纠错步骤：

2.1]未被屏蔽的数据需要写入存储阵列，被屏蔽的数据不需要写入存储阵列；

将未被屏蔽的数据写入存储器，此部分数据为写入数据；

在写入数据的同时，将与被屏蔽的数据相对应位置的数据从存储阵列中读出，此部分数据为读出数据；

2.2]将写入数据和读出数据进行合并，合并后的数据称为合并数据；

合并数据的数据长度能满足ECC规则中产生监督位的需求；

合并数据为当前地址在写入过程结束后最终存储在阵列中的数据；

2.3]用合并数据按照ECC规则通过编码电路产生合并数据相应的ECC监督位；

2.4]将写入数据和2.3]中产生的ECC监督位写入存储阵列中相应位置处，从而保证存储的数据和ECC监督位一一对应；

3]由于并不存在数据屏蔽，所以外部数据直接写入，ECC编码电路用此外部数据通过设定的规则产生相应的监督位，新的数据和监督位被写入存储阵列并完全代替之前存储的信息。

2.一种以读代写的DRAM存储器纠错方法，包括以下步骤：

读入存在数据屏蔽的外部数据，将未被屏蔽的外部数据写入存储阵列，同时将与被屏蔽的数据相应的数据从存储阵列中读出，然后再将写入的外部数据与读出的数据合并，ECC编码电路用此合并后的数据通过设定的规则产生相应的监督位，新的数据和监督位被写入存储阵列并完全代替之前存储的信息。