[发明专利]以读代写的存储器纠错方法有效

专利信息
申请号: 201310537688.2 申请日: 2013-10-31
公开(公告)号: CN103594120B 公开(公告)日: 2018-08-21
发明(设计)人: 亚历山大 申请(专利权)人: 西安紫光国芯半导体有限公司
主分类号: G11C29/42 分类号: G11C29/42
代理公司: 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 代理人: 杨引雪
地址: 710055 陕西省*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 代写 存储器 纠错 方法
【说明书】:

发明提供一种以读代写的存储器纠错方法,主要解决了现有ECC编码过程中由于数据屏蔽的存在,导致不能顺利进行编码产生监督位或产生监督位需增加存储阵列面积的问题。该以读代写的存储器纠错方法,包括以下步骤,读入外部数据,若存在数据屏蔽,则将未被屏蔽的外部数据写入存储阵列,同时将与被屏蔽的数据相应的数据从存储阵列中读出,然后再将写入的外部数据与读出的数据合并,ECC编码电路用此合并后的数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储整列并完全代替之前存储的信息;该以读代写的存储器纠错方法解决了数据屏蔽对ECC的影响,可以复用存储器已有的读写电路,只需加入DM对读的控制。

技术领域

本发明涉及一种存储器纠错方法,具体涉及一种以读代写的存储器纠错方法。

背景技术

ECC(ErrorCorrectionCode纠错码)被用来检测和纠正出错的数据。资料显示有很多种算法可支持ECC,例如最常用的汉明码(HammingCode),8位(bit)数据需要4位监督位(paritybit),64位数据需要7位监督位。可通过数据长度以及所需要检测和纠正的位数选取合适的算法。

对于不同的DDR结构(DDR1/2/3),典型的数据读取(streamin-and-out)预取数据长度有32位、64位以及128位。一种合理的折中解决办法可以对64位数据使用7位或者8位的监督位(根据不同的ECC算法),如图1和图2所示。

但对于DRAM来说要实现检测和纠正的功能并不是那么简单,因为DM数据屏蔽(Data Mask)的存在。也就是说,在把数据从外部写入存储单元的时候,某一个或者多个字节(byte)可能会被屏蔽掉,使之不会改写存储单元里已经存储的数据。这就使得ECC的编码过程不能顺利进行去产生监督位,如图3所示。为了解决这个问题,最简单的方法是把64位数据分成8组,每组8位数据(一个字节),刚好是DM的屏蔽长度,这样就不会受到DM的影响。但是由于每8位数据需要4位的监督位,那就会导致整个存储阵列的面积需要增加50%,使得DRAM的成本极大增加,所以需要解决DM带来的问题。

发明内容

本发明提供一种以读代写的存储器纠错方法,主要解决了现有ECC编码过程中由于数据屏蔽的存在,导致不能顺利进行编码产生监督位或产生监督位需增加存储阵列面积的问题。

本发明的技术解决方案如下:

该以读代写的存储器纠错方法,包括以下步骤:

1]读入外部数据,并判断是否存在数据屏蔽,若存在数据屏蔽则进入步骤2处理,若不存在数据屏蔽则进入步骤3处理:

2]由于存在数据屏蔽,则将未被屏蔽的外部数据写入存储阵列,同时将与被屏蔽的数据相应的数据从存储阵列中读出,然后再将写入的外部数据与读出的数据合并,ECC编码电路用此合并后的数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储整列并完全代替之前存储的信息;

3]由于并不存在数据屏蔽,所以外部数据直接写入,ECC编码电路用此外部数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储整列并完全代替之前存储的信息。

也可以不对外部数据进行是否存在数据屏蔽的判断,直接进行下述步骤:

读入存在数据屏蔽的外部数据,将未被屏蔽的外部数据写入存储阵列,同时将与被屏蔽的数据相应的数据从存储阵列中读出,然后再将写入的外部数据与读出的数据合并,ECC编码电路用此合并后的数据通过设定的规则产生相应的监督位,新的数据和监督位被写入存储整列并完全代替之前存储的信息。

本发明的优点在于:

该以读代写的存储器纠错方法解决了数据屏蔽对ECC的影响,可以复用存储器已有的读写电路,只需加入DM对读的控制。

附图说明

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