[发明专利]具有带有单一植入的多个光电二极管的高动态范围像素

摘要

本发明涉及具有带有单一植入的多个光电二极管的高动态范围像素。一种高动态范围图像传感器像素包含安置于半导体材料中的短积分光电二极管及长积分光电二极管。所述长积分光电二极管具有实质上大于所述短积分光电二极管的曝光区域的曝光区域。所述短积分光电二极管的所述曝光区域具有来自第一掺杂植入的第一掺杂浓度。所述长积分光电二极管的所述曝光区域包含具有来自所述第一掺杂植入的所述第一掺杂浓度的至少一个经植入部分。所述长积分光电二极管的所述曝光区域进一步包含经光掩蔽以免受所述第一掺杂植入影响的至少一个未植入部分，使得所述长积分光电二极管的所述曝光区域的所述经植入与未植入部分的经组合掺杂浓度小于所述短积分光电二极管的所述曝光区域的所述第一掺杂浓度。

主权项

一种供在高动态范围图像传感器中使用的图像传感器像素，其包括：短积分光电二极管，其安置于半导体材料中，所述短积分光电二极管具有第一曝光区域，其中所述第一曝光区域具有来自第一掺杂植入的第一掺杂浓度；及长积分光电二极管，其安置于所述半导体材料中，所述长积分光电二极管具有第二曝光区域，其中所述第二曝光区域实质上大于所述第一曝光区域，其中所述第二曝光区域包含具有来自所述第一掺杂植入的所述第一掺杂浓度的至少一个经植入部分，其中所述第二曝光区域进一步包含经光掩蔽以免受所述第一掺杂植入影响的至少一个未植入部分，使得所述第二曝光区域的所述经植入与未植入部分的经组合掺杂浓度小于所述第一曝光区域的所述第一掺杂浓度。