[发明专利]有机硅化合物中金属杂质的去除方法在审
| 申请号： | 201310530885.1 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104592291A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王万军;袁京;杜丽萍;黄祚刚;姜标 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种有机硅化合物中金属杂质的去除方法，该方法包括以下步骤：（1）将待提纯的有机硅化合物与预定比例的金属吸附剂和极性溶剂混合形成混合物；（2）在一定温度和常压下搅拌一定的时间；（3）分阶段升高加热温度，在一定的真空度下，将混合物汽化然后冷凝，分别将不同阶段的馏分收集在不同的接收瓶中。本发明解决了高纯有机硅氧烷在制备过程中有机杂质和金属杂质难去除的问题，特别是环聚硅氧烷中微量金属离子的去除，使有机硅氧烷中有机及金属杂质含量达到高纯半导体级。同时，本方法将溶解、吸附和精馏相结合，一步法完成了有机硅氧烷的提纯过程，简化了操作，降低了生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 有机硅 化合物 金属 杂质 去除 方法 | ||
【主权项】：
一种有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：（1）将待提纯的有机硅化合物与预定比例的金属吸附剂和极性溶剂混合形成混合物；（2）在一定温度和常压下搅拌一定的时间；（3）分阶段升高加热温度，在一定的真空度下，将混合物汽化然后冷凝，分别将不同阶段的馏分收集在不同的接收瓶中。
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