[发明专利]有机硅化合物中金属杂质的去除方法在审
| 申请号： | 201310530885.1 | 申请日： | 2013-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN104592291A | 公开（公告）日： | 2015-05-06 |
| 发明（设计）人： | 王万军;袁京;杜丽萍;黄祚刚;姜标 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海高等研究院 |
| 主分类号： | C07F7/21 | 分类号： | C07F7/21 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所 31219 | 代理人： | 李仪萍 |
| 地址： | 201210 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 有机硅 化合物 金属 杂质 去除 方法 | ||
1.一种有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：
（1）将待提纯的有机硅化合物与预定比例的金属吸附剂和极性溶剂混合形成混合物；
（2）在一定温度和常压下搅拌一定的时间；
（3）分阶段升高加热温度，在一定的真空度下，将混合物汽化然后冷凝，分别将不同阶段的馏分收集在不同的接收瓶中。
2.根据权利要求1所述的有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于：所述有机硅化合物包括有机硅氧烷。
3.根据权利要求2所述的有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于：所述金属吸附剂包括硅胶、活性炭、硅藻土中的一者或者两者或两者以上混合物。
4.根据权利要求2所述的有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于：所述极性溶剂包括丙酮、异丙醇、乙醇或乙酸乙酯。
5.根据权利要求2所述的有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于：所述有机硅氧烷包括环聚硅氧烷。
6.根据权利要求5所述的有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于：所述的环聚硅氧烷包括八甲基环四硅氧烷或三氟丙基环三硅氧烷。
7.根据权利要求2所述的有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于：所述有机硅氧烷、金属吸附剂和极性溶剂同时混合形成混合物，并在室温至300摄氏度下搅拌1-5小时。
8.根据权利要求2所述的有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于：所述步骤（1）和步骤（2）在精馏釜中进行。
9.根据权利要求2所述的有机硅化合物中金属杂质的去除方法，其特征在于：所述步骤（3）在精馏塔中进行，真空度控制在0.1KPa-101.325KPa。
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