[发明专利]衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件无效
| 申请号： | 201310520285.7 | 申请日： | 2013-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN104103675A | 公开（公告）日： | 2014-10-15 |
| 发明（设计）人： | 李商文;曹永真;李明宰 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/205;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 本发明提供了一种衬底结构和采用该衬底结构的半导体器件。该衬底结构包括：衬底；成核层，形成在衬底上并且包括具有与衬底的晶格常数相差小于1%的晶格常数的III-V族化合物半导体材料；以及缓冲层，形成在成核层上并且包括第一层和第二层，其中，第一层和第二层包括具有比成核层的晶格常数大4%或更大的晶格常数的III-V族化合物半导体材料。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 结构 采用 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种衬底结构，包括：衬底；成核层，形成在所述衬底上并且包括具有与所述衬底的晶格常数相差小于1%的晶格常数的III‑V族化合物半导体材料；以及缓冲层，形成在所述成核层上并且包括第一层和第二层，其中，所述第一层和所述第二层包括具有比所述成核层的晶格常数大4%或更大的晶格常数的III‑V族化合物半导体材料。
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