[发明专利]单片集成电路

摘要

本发明得到一种能够在不增加制造成本情况下将横型晶体管和纵型二极管集成在一个基板上的单片集成电路。基板（1）具有二极管区域和晶体管区域。在二极管区域和晶体管区域，在基板（1）上依次设置有n^-型GaN肖特基层（3）以及n⁺型GaN欧姆层（4）。AlGaN电子供给层（6）以及GaN电子行进层不设置在二极管区域，在晶体管区域设置在n⁺型GaN欧姆层（4）上。在二极管区域设置有与n^-型GaN肖特基层（3）连接的阳极电极（12）和与n⁺型GaN欧姆层（4）连接的阴极电极（10）。在AlGaN电子供给层（6）上设置有源极电极（7）、栅极电极（8）以及漏极电极（9）。

主权项

一种单片集成电路，其特征在于，具有：基板，具有二极管区域和晶体管区域；第一半导体层，在所述二极管区域和所述晶体管区域设置在所述基板上；第二半导体层，在所述二极管区域和所述晶体管区域设置在所述第一半导体层上；第三半导体层，不设置在所述二极管区域，在所述晶体管区域设置在所述第二半导体层上；第一电极，设置在所述二极管区域，与所述第一半导体层连接；第二电极，设置在所述二极管区域，与所述第二半导体层连接；源极电极、栅极电极以及漏极电极，设置在所述第三半导体层上。