[发明专利]单片集成电路

权利要求书

1.一种单片集成电路，其特征在于，具有：

基板，具有二极管区域和晶体管区域；

第一半导体层，在所述二极管区域和所述晶体管区域设置在所述基板上；

第二半导体层，在所述二极管区域和所述晶体管区域设置在所述第一半导体层上；

第三半导体层，不设置在所述二极管区域，在所述晶体管区域设置在所述第二半导体层上；

第一电极，设置在所述二极管区域，与所述第一半导体层连接；

第二电极，设置在所述二极管区域，与所述第二半导体层连接；

源极电极、栅极电极以及漏极电极，设置在所述第三半导体层上。

2.如权利要求1所述的单片集成电路，其特征在于，

所述基板在所述二极管区域具有通孔，

所述第一电极设置于在所述通孔内露出的所述第一半导体层的下表面。

3.如权利要求1所述的单片集成电路，其特征在于，

在所述二极管区域，在所述第二半导体层的一部分被除去的部分，所述第一电极设置于所述第一半导体层的上表面。

4.如权利要求1～3的任意一项所述的单片集成电路，其特征在于，

所述第三半导体层具有：i型的电子行进层；电子供给层，设置在所述电子行进层之上，具有比所述电子行进层宽的带隙。

5.如权利要求4所述的单片集成电路，其特征在于，

还具有：p型半导体层，在所述晶体管区域，设置在所述第二半导体层和所述电子行进层之间。

6.如权利要求4所述的单片集成电路，其特征在于，

所述第二半导体层具有比所述电子行进层宽的带隙。

7.如权利要求1～3的任意一项所述的单片集成电路，其特征在于，

所述第一以及第二半导体层是n型，所述第二半导体层具有比所述第一半导体层高的杂质浓度。

8.如权利要求1～3的任意一项所述的单片集成电路，其特征在于，

所述第一半导体层是p型，所述第二半导体层是n型。

9.如权利要求1～3的任意一项所述的单片集成电路，其特征在于，

所述第一以及第二半导体层中的一个是p型，另一个是n型，

还具有设置在所述第一以及第二半导体层之间的i型半导体层。

10.如权利要求1～3的任意一项所述的单片集成电路，其特征在于，

还具有设置在所述第二半导体层和所述第三半导体层之间的刻蚀停止层。

11.如权利要求1～3的任意一项所述的单片集成电路，其特征在于，

还具有将所述二极管区域的所述第一半导体层和所述晶体管区域的所述第一半导体层绝缘分离的绝缘层。

12.如权利要求1～3的任意一项所述的单片集成电路，其特征在于，

所述二极管区域的所述第一半导体层和所述晶体管区域的所述第一半导体层被台面分离。

13.如权利要求1～3的任意一项所述的单片集成电路，其特征在于，

所述单片集成电路应用于带变频器的接收电路、带变容二极管的电压控制振荡器、带变容二极管的放大器、带倍频器的放大器、带保护电路的放大器、开关、移相器、带线性化单元的放大器、逆变器、通信装置、雷达装置以及功率控制装置中的任意一个。