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[发明专利]半导体装置-CN202080105389.X在审
发明人： 金谷康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2020-10-01 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L23/02 文献下载
摘要：本公开所涉及的半导体装置(100)具备半导体芯片(130)，半导体芯片(130)形成有与晶体管(13)导通并具有比接合线(4)大的截面积的突起状端子(14)以及覆盖朝向其周围的侧面的具有绝缘性的防短路用侧壁(15)。半导体芯片(130)通过具有导电性的接合材料(6)接合于金属板(2)的上表面(3)。形成于与金属板(2)的上表面(3)接合的电路基板(30)的导体图案(34a)和突起状端子(14)的突出方向的端部通过接合线(4)连接。
半导体装置

[发明专利]半导体装置-CN201580075517.X有效
发明人：今井翔平;弥政和宏;山中宏治;前原宏昭;金谷康;国井彻郎;片山秀昭 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-06-23 - 公布日： 2020-09-29 - 主分类号： H01L21/338 文献下载
摘要：一种半导体装置，其具有：大于或等于一根栅极指(20)，其设置于半导体基板(1)之上的有源区域；以及源极指(30)、漏极指(40)，它们设置于所述有源区域，隔着栅极指(20)而交替地配置，该半导体装置具有末端电路(60)，该末端电路(60)在从栅极指(20)的输入端子(21a)输入的信号的频率下成为电感性阻抗，在该栅极指(20)的与该输入端子(21a)的连接位置远离的部位处与该栅极指直接或间接地连接。
半导体装置

[发明专利]二极管线性化电路-CN201780088822.1在审
发明人： 金谷康;山本和也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2017-03-28 - 公布日： 2019-11-19 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明涉及的二极管线性化电路呈在RF信号路径和接地之间相对于RF信号路径经由电容器而并联地装配了线性化电路芯部的结构，因此在使具有不同的增益扩展特性的多个线性化电路芯部选择性地动作时，不需要使用了FET等的开关。并且，在RF信号输入输出端子之间，也不需要用于阻断直流的串联的电容器。因此，能够扩展可通过二极管线性化电路补偿的增益的范围。并且，能够降低二极管线性化电路断开时的RF信号路径的插入损耗，并且能够扩展动作时的增益扩展的范围。另外，不使用开关，或者需要的电容器的元件个数少，因此电路尺寸也小。
线性化电路电容器二极管芯部输入输出端子插入损耗接地并联断开装配串联电路

[发明专利]放大器-CN201610236702.9有效
发明人：小坂尚希;前原宏昭;金谷康;宫下美代;山本和也 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2016-04-15 - 公布日： 2018-11-13 - 主分类号： H03F3/68 文献下载
摘要：本发明的目的在于提供能够抑制不平衡且适于小型化的放大器。具备：多个第1放大元件，它们在封装件中沿输入侧分配电路设置，具有第1栅极焊盘和第1漏极焊盘；多个第2放大元件，它们在该封装件中沿输出侧合成电路设置，具有第2栅极焊盘和第2漏极焊盘；第1输入导线，其将该输入侧分配电路和该第1栅极焊盘连接；第2输入导线，其将该输入侧分配电路和该第2栅极焊盘连接；第1输出导线，其将该第1漏极焊盘和该输出侧合成电路连接；以及第2输出导线，其将该第2漏极焊盘和该输出侧合成电路连接，该多个第1放大元件和该多个第2放大元件设置为交错状，该第1输入导线和该第2输入导线的长度相等，该第1输出导线和该第2输出导线的长度相等。
放大器

[发明专利]线性化电路-CN201510266552.1有效
发明人： 金谷康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2018-01-23 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明得到一种能够降低成本和插入损耗并提高成品率的线性化电路。分支电路(1)具有输入传输线路(1a)和输出传输线路(1b、1c)。输入传输线路(1a)连接在输入端子(IN)和分支点之间。输出传输线路(1b)连接在分支点和输出端子(OUT1)之间，输出传输线路(1c)连接在分支点和输出端子(OUT2)之间。二极管(2)的正极与分支点连接，负极接地。偏置电路(3)对二极管(2)进行偏置。
线性化电路

[发明专利]线性化电路-CN201510266522.0在审
发明人： 金谷康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2015-05-22 - 公布日： 2015-11-25 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明得到一种能够改善可靠性并提高设计自由度的线性化电路。在输入端子(IN)与输出端子(OUT)之间连接有连接点(T1)。在连接点(T1)与接地点之间连接有二极管(D)。在电压端子(T2)与连接点(T1)之间连接有电阻(R)。对电压端子(T2)施加0V的电压。由此，使得二极管(D)的正极电流较低即可，因此在正电极金属中不会发生迁移，能够提高可靠性。并且，由于无须对正极电流值进行限制，所以能够提高线性化电路设计的自由度。
线性化电路

[发明专利]单片集成电路-CN201310509744.1无效
发明人： 金谷康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2013-10-25 - 公布日： 2014-05-14 - 主分类号： H01L27/06 文献下载
摘要：本发明得到一种能够在不增加制造成本情况下将横型晶体管和纵型二极管集成在一个基板上的单片集成电路。基板（1）具有二极管区域和晶体管区域。在二极管区域和晶体管区域，在基板（1）上依次设置有n^-型GaN肖特基层（3）以及n⁺型GaN欧姆层（4）。AlGaN电子供给层（6）以及GaN电子行进层不设置在二极管区域，在晶体管区域设置在n⁺型GaN欧姆层（4）上。在二极管区域设置有与n^-型GaN肖特基层（3）连接的阳极电极（12）和与n⁺型GaN欧姆层（4）连接的阴极电极（10）。在AlGaN电子供给层（6）上设置有源极电极（7）、栅极电极（8）以及漏极电极（9）。
单片集成电路

[发明专利]功率放大器-CN201210274868.1有效
发明人：三轮真一;塚原良洋;金谷康;小坂尚希 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-08-03 - 公布日： 2013-02-06 - 主分类号： H03F3/21 文献下载
摘要：本发明涉及功率放大器，其目的在于提供一种对吸收振荡功率的电阻的电阻值能容易地进行控制的功率放大器。本申请发明的功率放大器（10）具备：半导体基板（12），形成有多个晶体管单元；该多个晶体管单元的漏极电极（40），形成在该半导体基板上；漏极焊盘（42），在该半导体基板上以与该漏极电极连接的方式形成；离子注入电阻（44），在该半导体基板以沿着该漏极焊盘与该漏极焊盘相接的方式形成；浮动电极（46），在该半导体基板上以经由该离子注入电阻与该漏极焊盘相接的方式形成；输出匹配电路（16），形成在该半导体基板的外部；以及布线（18a，18b，18c，18d），连接该漏极焊盘和该输出匹配电路。
功率放大器

[发明专利]半导体装置-CN201210159543.9无效
发明人： 金谷康;塚原良洋 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2012-05-22 - 公布日： 2012-11-28 - 主分类号： H01L23/34 文献下载
摘要：本发明的目的在于得到一种能够有效地进行散热的半导体装置。在主体芯片（1）的表面设置有电路图案（4），该电路图案（4）具有源极焊盘（5）。在盖芯片（2）的表面设置有凹部（11），在背面设置有凹部（12）。盖芯片（2）以使凹部（11）与电路图案（4）对置的方式与主体芯片（1）接合。在盖芯片（2）的凹部（11）的底面设置有焊盘（13）。在盖芯片（2）的凹部（12）中填充有金属构件（14）。贯通电极（15）贯通盖芯片（2），连接焊盘（13）和金属构件（14）。凸起（16）连接源极焊盘（5）与焊盘（13）。
半导体装置

[发明专利]制造空气桥的方法-CN201110317588.X有效
发明人：小坂尚希;金谷康;塚原良洋 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-10-09 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供制造能够制造可抑制空气桥的强度下降、抑制半导体元件的特性劣化，而且能够避免隔离材料的残留且被覆面积大的空气桥的空气桥制造方法。该方法是：在抗蚀层(100)上涂布作为第2抗蚀层的抗蚀层(102)。对于抗蚀层(102)，也和第1层(抗蚀层(100))一样，通过进行曝光显影留下规定的尺寸(L2)，其后，涂布第3抗蚀层(抗蚀层(104))。在第3层(抗蚀层(104))也进行曝光显影，留下规定的尺寸(L3)。在形成的抗蚀层(100、102、104)的叠层结构上，叠层形成空气桥(10)的材料的层(106)，以形成空气桥(10)。通过去除抗蚀层，完成截面形状为阶梯状的空气桥(10)的制作。
制造空气方法

[发明专利]半导体装置、半导体电路基板以及半导体电路基板的制造方法-CN201110225510.5有效
发明人：小坂尚希;天清宗山;金谷康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-08-08 - 公布日： 2012-03-14 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本发明提供一种能够节减化合物半导体材料并且得到使用了化合物半导体的高性能的半导体元件的半导体装置、半导体电路基板及半导体电路基板的制造方法。半导体电路基板具有晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）。晶体管形成基板（10）是GaN基板，在表面形成BJT（40）。晶体管形成基板（10）的背面平滑，并且在背面具有接触区域。电路形成基板（50）由化合物半导体以外的材料形成，不具有半导体有源元件。电路形成基板（50）为平滑的表面，具有以在表面露出的方式埋入的接触区域（52、54）及无源电路（未图示）。晶体管形成基板（10）和电路形成基板（50）不插入绝缘膜等其他膜地直接接合。
半导体装置路基以及制造方法

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201110213254.8有效
发明人： 金谷康;塚原良洋;渡边伸介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2011-07-28 - 公布日： 2012-02-08 - 主分类号： H01L21/52 文献下载
摘要：本发明得到能改善耐湿性、抑制增益下降、降低外部电磁噪声并可有效切割的半导体装置的制造方法。在主体晶片（1）的主面（1a）形成电路图形（2）和金属膜（3）。形成从主体晶片（1）的主面（1b）贯通主体晶片（1）到达金属膜（3）的贯通孔（17）。在主体晶片（1）的主面（1b）一部分、贯通孔（17）内壁及贯通孔（17）内露出的金属膜（3）上形成金属膜（4）。在盖晶片（7）的主面（7a）形成凹部（8）。在盖晶片（7）的包含凹部（8）的主面（7a）形成金属膜（9）。使凹部（8）与电路图形（2）对置、金属膜（9）与金属膜（3）接触地将盖晶片（7）接合在主体晶片（1）。将接合的主体晶片（1）和盖晶片（7）沿贯通孔（17）切割。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]栅地-阴地放大器电路-CN200910147026.8无效
发明人： 金谷康;后藤清毅;渡边伸介 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-06-08 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： H03F1/22 文献下载
摘要：本发明提供栅地-阴地放大器电路，其能够实现在毫米波段能够稳定地工作且高增益或高输出的毫米波器件。该栅地-阴地放大器电路栅地阴地连接有两个晶体管，并且具备：源极被接地的HEMT(1)；源极与HEMT(1)的漏极连接的HEMT(2)；与HEMT(2)的栅极连接，并抑制反射增益的反射增益抑制电阻(3)；和连接于反射增益抑制电阻(3)的与HEMT(2)相反的一侧，并将规定频率附近的高频信号短路的开路短截线(4)。
放大器电路

[发明专利]电压控制振荡器、单片微波集成电路及高频无线装置-CN200910159440.0无效
发明人：渡边伸介;后藤清毅;塚原良洋;金谷康 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2009-06-30 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H03L7/00 文献下载
摘要：实现低相位噪声的电压控制振荡器。在具备在包含变容二极管(2)和控制电压端子(3)的可变谐振器的电压控制振荡器中，对该可变谐振器并联连接具有最长也是在高次谐波信号的1/4波长的奇数倍上相加高次谐波信号的1/16波长的长度而最短也是从高次谐波信号的1/4波长的奇数倍中减去高次谐波信号的1/16波长的长度的前端开路短截线(5)。通过该结构，在基波频率中，基波信号向前端开路短截线(5)和变容二极管(2)这两方传播，能实现高的Q值，而在高次谐波频率中，前端开路短截线(5)具有短路负载，高次谐波信号全部向前端开路短截线(5)传播，因此抑制高次谐波信号造成的控制电压(Vt)的变动。
电压控制振荡器单片微波集成电路高频无线装置

[发明专利]半导体芯片及高频电路-CN200780052489.5有效
发明人：铃木拓也;川上宪司;金谷康;北村洋一 -专利权人：三菱电机株式会社
申请日： 2007-11-15 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： H03D7/02 文献下载
摘要：本发明提供一种能使与芯片端连接的反射电路、分波电路、匹配电路等充分地起作用的半导体芯片。该半导体芯片设于至少形成有一个半导体元件(11)的半导体基板上，具有：布线图案(12、14)，该布线图案(12、14)与半导体元件(11)的各端子分别连接；及电极焊盘(13、15)，该电极焊盘(13、15)与布线图案(12、14)连接，且用于连接形成在不同于半导体基板的其它基板上的信号输入输出电路，其中，该半导体芯片还包括：并联布线图案(16、18)，该并联布线图案(16、18)在半导体元件的至少一个端子端与布线图案(12、14)连接；及电抗电路连接用电极焊盘(17、19)，该电抗电路连接用电极焊盘(17、19)与并联布线图案(16、18)连接，且用于电连接与信号输入输出电路分开形成于其它基板上的电抗电路。
半导体芯片高频电路

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