[发明专利]一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法有效
| 申请号： | 201310508330.7 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103614769A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 罗伟科;李亮;李忠辉;张东国;彭大青;董逊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明是一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，包括如下步骤：1）选择一氮化镓衬底，转移入MOCVD系统中；2）在衬底上进行短时间快速刻蚀；3）在快速刻蚀后进行长时间慢速刻蚀，在衬底表面形成六棱锥微结构；4）侧向生长合并六棱锥微结构；5）在上述合并后的薄膜层上继续生长高质量GaN外延层。优点：通过控制原位刻蚀气体的组分，去除衬底表面的杂质，同时在衬底表面形成六棱锥微结构，该微结构在侧向外延阶段合并，从而降低外延层的位错密度，最后获得高质量的氮化镓外延薄膜。在衬底表面形成六棱锥微结构不需要额外的工艺设备，方法经济节约，简单易行，外延材料性能好，是实现GaN外延薄膜高质量、低成本生长的有效解决方案。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 原位 刻蚀 氮化 同质 外延 方法 | ||
【主权项】：
一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，其特征在于该方法包括如下步骤：1）选择一氮化镓衬底，转移入MOCVD系统中；2）在衬底上进行短时间快速刻蚀；3）在快速刻蚀后进行长时间慢速刻蚀，在衬底表面形成六棱锥微结构；4）侧向生长合并六棱锥微结构；5）在上述合并后的薄膜层上继续生长高质量GaN外延层。
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