[发明专利]一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法有效
| 申请号： | 201310508330.7 | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN103614769A | 公开（公告）日： | 2014-03-05 |
| 发明（设计）人： | 罗伟科;李亮;李忠辉;张东国;彭大青;董逊 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | C30B25/20 | 分类号： | C30B25/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 南京君陶专利商标代理有限公司 32215 | 代理人： | 沈根水 |
| 地址： | 210016 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 原位 刻蚀 氮化 同质 外延 方法 | ||
1.一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，其特征在于该方法包括如下步骤：
1）选择一氮化镓衬底，转移入MOCVD系统中；
2）在衬底上进行短时间快速刻蚀；
3）在快速刻蚀后进行长时间慢速刻蚀，在衬底表面形成六棱锥微结构；
4）侧向生长合并六棱锥微结构；
5）在上述合并后的薄膜层上继续生长高质量GaN外延层。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述步骤1）中衬底为c面氮化镓衬底。
3.根据权利要求1所述的一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，其特征在于：所述的步骤2）中，反应腔为纯氢气气氛，刻蚀温度在1000℃-1100℃，刻蚀时间60秒-90秒，压强100torr-200torr。
4.根据权利要求1所述的一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，其特征在于：所述的步骤3）中，反应腔为氢气和氨气的混合气体氛围，混合气体比H2/NH3为20-60，刻蚀温度在1000℃-1100℃，刻蚀时间20-40分钟，压强100torr-200torr。
5.根据权利要求1所述的一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，其特征在于：所述的步骤4）中，反应腔温度1080℃-1100℃，压强为75torr-100torr，V/III比为3000-5000,载气为氢气，厚度为200nm-250nm。
6.根据权利要求1所述的一种基于原位刻蚀的氮化镓同质外延方法，其特征在于：所述的步骤5）中，反应腔温度980℃-1050℃，压强为300torr-500torr，V/III比为1000-2000，载气为氢气，厚度为1.5μm -2.5μm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所，未经中国电子科技集团公司第五十五研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310508330.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
