[发明专利]高压整流硅堆有效

专利信息
申请号: 201310507671.2 申请日: 2013-10-21
公开(公告)号: CN103545299A 公开(公告)日: 2014-01-29
发明(设计)人: 郭知初;王霆;郭智新;姜锋 申请(专利权)人: 大连德维电子科技有限公司
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/367
代理公司: 大连东方专利代理有限责任公司 21212 代理人: 安宝贵;李洪福
地址: 116000 辽宁省大连*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了高压整流硅堆,包括若干个串联的整流二极管层、PCB板以及散热器,其特征在于:每个整流二极管层包括两组并联的整流二极管组;所述的整流二极管组由若干个串联的整流二极管组成;所述整流二极管层布设于PCB板上,且在PCB板上设置若干散热器通孔,散热器通孔内安装散热器。本发明通过设置具有若干椭圆形通孔结构以及矩形主通孔结构组成的绝缘散热通孔来提高管间的绝缘散热距离,防止局部管击穿问题的产生,提高硅堆的整流性能以及使用寿命;在整流二极管与PCB板之间均设置有陶瓷隔热板提高散热效率降低热阻。
搜索关键词: 高压 整流
【主权项】:
高压整流硅堆,包括若干个串联的整流二极管层(2)、PCB板(1)以及散热器(3),其特征在于:每个整流二极管层(2)包括两组并联的整流二极管组;所述的整流二极管组由若干个串联的整流二极管(4)组成;所述整流二极管层(2)布设于PCB板(1)上,且在PCB板(1)上设置若干散热器通孔,散热器通孔内安装散热器(3)。
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