[发明专利]高压整流硅堆有效
申请号: | 201310507671.2 | 申请日: | 2013-10-21 |
公开(公告)号: | CN103545299A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 郭知初;王霆;郭智新;姜锋 | 申请(专利权)人: | 大连德维电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L25/07 | 分类号: | H01L25/07;H01L23/367 |
代理公司: | 大连东方专利代理有限责任公司 21212 | 代理人: | 安宝贵;李洪福 |
地址: | 116000 辽宁省大连*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 高压 整流 | ||
技术领域
本发明涉及一种半导体元器件,具体的涉及一种适用于高频整流使用的高压整流硅堆。
背景技术
电除尘的工作原理是利用高压电场使得烟气发生电离,气流中的粉尘电荷在电场作用下与气流分离,电除尘设备主要包括变压器、整流桥以及集尘器,而变压器输出的电压质量对除尘效率有很大的影响,因此如何保证变压器输出的电压的稳定可靠性成为变压器技术研究的重点。
现有的电除尘用高频高压电源多由整流电路、高频逆变电路、高频变压器、高压高频硅堆等单元组成,而高压高频硅堆高压高频交流电转换成高压直流电供电稳定性直接影响电除尘电场除尘效果。
发明内容
鉴于已有技术存在的缺陷,本发明的目的是要提供一种新型结构的高压整流硅堆,
为实现上述目的,本发明的技术方案:
高压整流硅堆,包括若干个串联的整流二极管层、PCB板以及散热器,其特征在于:每个整流二极管层包括两组并联的整流二极管组;所述的整流二极管组由若干个串联的整流二极管组成;所述整流二极管层布设于PCB板上,且在PCB板上设置若干散热器通孔,散热器通孔内安装散热器。
所述两组并联的整流二极管组之间的PCB板上设置绝缘散热通孔,所述绝缘散热通孔为具有倒圆角结构的矩形主结构,在所述矩形主结构设置若干均布的椭圆形通孔结构。
所述的椭圆形通孔结构的排布方式为:每个整流二极管的两侧各设置有椭圆形通孔结构,保证每两个椭圆形通孔结构的中心轴线之间放置一个整流二极管。
所述的整流二极管与PCB板之间均设置有陶瓷隔热板,使用导电硅胶灌封空隙。
与现有技术相比,本发明的有益效果:
本发明通过设置具有若干椭圆形通孔结构以及矩形主通孔结构组成的绝缘散热通孔来提高管间的绝缘散热距离,防止局部管击穿问题的产生,提高硅堆的整流性能以及使用寿命;在整流二极管与PCB板之间均设置有陶瓷隔热板提高散热效率降低热阻。
附图说明
图1为本发明整流二极管层结构示意图;
图2为本发明整流二极管层结构示意图。
图中:1、PCB板,2、整流二极管层,3、散热器,4、整流二极管,5、绝缘散热通孔,5a、矩形主结构,5b、椭圆形通孔结构,6、陶瓷隔热板,7、导电硅胶。
具体实施方式
为了使本发明的目的、技术方案及优点更加清楚明白,以下结合附图,对本发明进行进一步详细说明。
如图1所示的高压整流硅堆,包括若干个串联的整流二极管层2、PCB板1以及散热器3,其特征在于:每个整流二极管层2包括两组并联的整流二极管组;所述的整流二极管组由若干个串联的整流二极管4组成;所述整流二极管层2布设于PCB板1上,且在PCB板1上设置若干散热器通孔,散热器通孔内安装散热器3。
所述两组并联的整流二极管组之间的PCB板1上设置绝缘散热通孔5,鉴于PCB板1板面有限,为了进一步提高管间的绝缘距离,需要设置绝缘通孔5实现,所述绝缘散热通孔5为具有倒圆角结构的矩形主结构5a,在所述矩形主结构5a设置若干均布的椭圆形通孔结构5b。所述的椭圆形通孔结构5b的排布方式为:每个整流二极管4的两侧各设置有椭圆形通孔结构5b,保证每两个椭圆形通孔结构5b的中心轴线之间放置一个整流二极管4,有效降低二极管间的尖峰电压,降低击穿率。
如图2所示,所述的整流二极管4与PCB板1之间均设置有陶瓷隔热板6,使用导电硅胶7灌封空隙。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
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