[发明专利]一种高显色性白光LED结构及其制作方法有效
| 申请号： | 201310507130.X | 申请日： | 2013-10-25 |
| 公开（公告）号： | CN104576627B | 公开（公告）日： | 2018-06-01 |
| 发明（设计）人： | 叶国光;郝锐;罗长得 | 申请（专利权）人： | 广东德力光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L25/075 | 分类号： | H01L25/075;H01L33/10;H01L33/46 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 529000 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高显色性白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红光LED芯片，其特征在于：所述蓝光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的缓冲层、DBR层、n型半导体材料层、发光层、电子阻挡层、p型半导体材料层和透明电极层，蓝光芯片中的透明电极层上涂覆有黄色荧光粉；所述红光芯片包括衬底、在衬底上依次生长的n型半导体材料层、发光层、p型半导体材料层和透明电极层，透明电极层上设有反射层，同时还介绍了该芯片结构的制作方法。本发明将蓝光和红光进行光谱叠加后再激发顶部的黄色荧光粉而发出白光，弥补了传统白光LED光谱中缺少的红光，提高了LED显色指数，增强了LED的发光效率且延长了使用寿命。 | ||
| 搜索关键词： | 透明电极层 衬底 高显色性白光 黄色荧光粉 蓝光芯片 发光层 光谱 红光 红光LED芯片 蓝光LED芯片 电子阻挡层 发光效率 红光芯片 使用寿命 显色指数 芯片结构 白光LED 生长 反射层 缓冲层 胶粘合 白光 蓝光 涂覆 制作 叠加 激发 | ||
【主权项】：
1.一种高显色性白光LED结构，包括通过胶粘合的蓝光LED芯片和红光LED芯片，其特征在于：所述蓝光芯片包括有蓝宝石衬底、在蓝宝石衬底上依次生长的GaN缓冲层、DBR层、n型GaN层、由InGaN和GaN材料层组成的发光层、AlGaN电子阻挡层、p型GaN层和ITO透明电极层，蓝光芯片中的ITO透明电极层涂覆有黄色荧光粉；所述红光芯片包括有GaP衬底、在GaP衬底上依次生长的n型AlInGaN、发光波长为600-650nm的AlxInyGazP发光层，p型AlInGaN层、ITO透明导电层和反射层，其中AlxInyGazP发光层中，x和y的摩尔分数均为0-0.25，x＝y，z＝1-x-y。
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