[发明专利]一种抗高过载的MEMS陀螺有效

专利信息
申请号: 201310505577.3 申请日: 2013-10-24
公开(公告)号: CN103557853A 公开(公告)日: 2014-02-05
发明(设计)人: 陈璞;郭群英;黄斌;王鹏;陈博;王文婧;何凯旋;刘磊;徐栋;吕东锋;庄须叶 申请(专利权)人: 华东光电集成器件研究所
主分类号: G01C19/56 分类号: G01C19/56
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233042 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 发明涉及一种抗高过载的MEMS陀螺,硅片中设有质量块(6),它通过连接梁(1)固支于锚点(7),在质量块(6)的四周对称分布着带有防撞凸点(4)的固定块(3),质量块(6)中心掏空区域设置有带防撞凸点(5)的中心固定块(2),其特征在于:所述质量块(6)上设有一组网格空腔(6a)。本发明具有如下优点:网格空腔质量块的侧壁在碰撞过程中起到了弹性过载保护面的作用,它和防撞凸点共同作用可以释放高冲击产生的高冲击力,有效保护器件敏感结构,提高了器件抗高过载能力。本发明结构简单,采用单晶硅片材料,提高了MEMS陀螺产品的一致性和可靠性,加工工艺比较简单,适合大批量生产。
搜索关键词: 一种 过载 mems 陀螺
【主权项】:
一种抗高过载的MEMS陀螺,包括在玻璃衬底(8)上键合的硅片(11),硅片(11)上面连接盖帽(10),硅片(11)中设有质量块(6),它通过连接梁(1)固支于锚点(7),在质量块(6)的四周对称分布着带有防撞凸点(4)的固定块(3),质量块(6)中心掏空区域设置有带防撞凸点(5)的中心固定块(2),其特征在于:所述质量块(6)上设有一组网格空腔(6a)。
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