[发明专利]织构化单晶半导体衬底以减小入射光反射

摘要

用碱性溶液织构化单晶半导体衬底以在其表面形成锥形结构从而减少入射光反射且提高晶圆的光吸收。碱性浴包含与烷氧基化二醇组合使用的乙内酰脲化合物及其衍生物，以抑制锥形结构之间平坦区域的形成，从而提高光的吸收。

主权项

一种在碱性浴中织构化单晶半导体衬底以减小入射光反射的方法，所述方法包括：a)提供单晶半导体衬底；b)提供包含以下物质的组合物：选自乙内酰脲和乙内酰脲衍生物的一种或多种化合物，其含量为所述组合物的0.001‑1重量％，一种或多种烷氧基化二醇，其重均分子量为100‑4000克/摩尔，含量为所述组合物的0.001‑3重量％，和一种或多种碱性化合物的组合物，其含量为所述组合物的0.5‑15重量％；以及c)将所述单晶半导体衬底与所述组合物接触，以各向异性地织构化所述单晶半导体衬底。