[发明专利]静态随机存储器之写入冗余度改善的方法

摘要

一种静态随机存储器之写入冗余度改善的方法，包括：步骤S1：提供硅基衬底，并形成浅沟槽隔离；步骤S2：形成NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件；步骤S3：在NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件之源极区和漏极区进行源漏注入，并沉积氮化硅保护层；步骤S4：对NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件进行源漏退火工艺；步骤S5：刻蚀除去氮化硅保护层。本发明通过在制备应力记忆效应工艺光刻版时，使上拉晶体管之PMOS器件区域与NMOS器件被覆盖，在应力记忆效应工艺中，上拉晶体管和NMOS器件均被氮化硅保护层覆盖，之后进行源漏退火工艺，上拉晶体管的空穴迁移率被降低，从而增大上拉晶体管的等效电阻，在写入过程中，降低第二节点电位，从而提高其写入冗余度。

主权项

一种静态随机存储器之写入冗余度改善的方法，其特征在于，所述方法包括：执行步骤S1：提供硅基衬底，并在所述硅基衬底内形成浅沟槽隔离；执行步骤S2：在所述浅沟槽隔离之间间隔形成NMOS器件和作为上拉晶体管的PMOS器件；执行步骤S3：在所述NMOS器件之源极区和漏极区，以及所述作为上拉晶体管的PMOS器件之源极区和漏极区进行源漏注入后，并在所述NMOS器件和所述作为上拉晶体管的PMOS器件之异于所述硅基衬底一侧沉积氮化硅保护层；执行步骤S4：对所述NMOS器件和所述作为上拉晶体管的PMOS器件进行源漏退火工艺；执行步骤S5：刻蚀除去所述氮化硅保护层。