[发明专利]用于滤色器阵列的介电结构

摘要

本发明提供了一种集成电路器件，其中，光电二极管阵列形成在半导体衬底的表面处。包括多层电介质的介电结构形成在光电二极管上方。滤色器阵列形成在光电二极管上方及介电结构内。滤色器的底部沿介电结构的两层之间的界面对准。界面提供允许良好的控制沟槽深度的蚀刻停止，沟槽用于在其中形成滤色器。

主权项

一种集成电路器件，包括：半导体衬底，具有表面；光电二极管阵列，位于所述表面处；介电结构，位于所述光电二极管上方，所述介电结构包括第一介电层、第二介电层和蚀刻停止层，其中，所述第二介电层位于所述第一介电层上方，所述蚀刻停止层位于所述第一介电层和所述第二介电层之间；以及滤色器阵列，位于所述光电二极管上方和所述介电结构内；其中，所述介电结构的多层位于所述滤色器和所述光电二极管之间；所述介电结构的多层形成将邻近的滤色器间隔开的网格；以及所述介电结构具有界面，所述滤色器的底部与所述界面对准；金属互连件，布置在所述半导体衬底上方，其中，所述金属互连件从所述半导体衬底延伸穿过抗反射涂层和缓冲层，所述金属互连件的顶面位于所述蚀刻停止层的垂直下方，并且所述金属互连件与所述光电二极管阵列横向偏移，其中，所述抗反射涂层位于所述半导体衬底上方，所述缓冲层位于所述抗反射涂层上方。