[发明专利]用于滤色器阵列的介电结构

权利要求书

1.一种集成电路器件，包括：

半导体衬底，具有表面；

光电二极管阵列，位于所述表面处；

介电结构，位于所述光电二极管上方，所述介电结构包括第一介电层、第二介电层和蚀刻停止层，其中，所述第二介电层位于所述第一介电层上方，所述蚀刻停止层位于所述第一介电层和所述第二介电层之间；以及

滤色器阵列，位于所述光电二极管上方和所述介电结构内；

其中，所述介电结构的多层位于所述滤色器和所述光电二极管之间；

所述介电结构的多层形成将邻近的滤色器间隔开的网格；以及

所述介电结构具有界面，所述滤色器的底部与所述界面对准；

金属互连件，布置在所述半导体衬底上方，其中，所述金属互连件从所述半导体衬底延伸穿过抗反射涂层和缓冲层，所述金属互连件的顶面位于所述蚀刻停止层的垂直下方，并且所述金属互连件与所述光电二极管阵列横向偏移，其中，所述抗反射涂层位于所述半导体衬底上方，所述缓冲层位于所述抗反射涂层上方。

2.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一介电层和所述蚀刻停止层之间的界面与所述滤色器的底部对准。

3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述蚀刻停止层和所述第二介电层之间的界面与所述滤色器的底部对准。

4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第一介电层与所述蚀刻停止层之间的界面位于所述衬底上方与所述滤色器相同的高度处。

5.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述蚀刻停止层与所述第二介电层之间的界面位于所述衬底上方与所述滤色器相同的高度处。

6.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述滤色器形成在所述蚀刻停止层上方。

7.一种集成电路器件，包括：

半导体衬底，具有表面；

光电二极管阵列，形成在所述表面处；

滤色器阵列，形成在所述光电二极管上方；以及

蚀刻停止层；

其中，所述滤色器具有朝向所述表面的底部；以及

所述蚀刻停止层与所述滤色器的底部对准；

金属互连件，布置在所述半导体衬底上方，其中，所述金属互连件从所述半导体衬底延伸穿过抗反射涂层和缓冲层，所述金属互连件的顶面位于所述蚀刻停止层的垂直下方，并且所述金属互连件与所述光电二极管阵列横向偏移，其中，所述抗反射涂层位于所述半导体衬底上方，所述缓冲层位于所述抗反射涂层上方。

8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述滤色器的底部与所述蚀刻停止层的上表面对准。

9.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述滤色器的底部与所述蚀刻停止层的下表面对准。

10.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述蚀刻停止层的上表面位于所述衬底上方与所述滤色器相同的高度处。

11.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述蚀刻停止层的下表面位于所述衬底上方与所述滤色器相同的高度处。

12.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中，所述蚀刻停止层为SiN。

13.一种制造集成电路器件的方法，包括：

在半导体衬底的表面处形成光电二极管单元的阵列；

在所述半导体衬底的表面上方形成抗反射涂层；

在所述抗反射涂层上方形成缓冲层；

在所述缓冲层上方形成金属互连件，所述金属互连件从所述半导体衬底延伸穿过所述抗反射涂层和所述缓冲层，并且所述金属互连件与所述光电二极管阵列横向偏移；

在所述金属互连件上方形成包括多个介电层的介电结构；

在所述介电结构中蚀刻沟槽，其中，所述介电层的一个提供蚀刻停止层，所述金属互连件的顶面位于所述蚀刻停止层的垂直下方；以及

在所述所述光电二极管单元的阵列上方形成滤色器，每个所述滤色器位于一个所述沟槽内。

14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述介电结构包括第一介电层、形成在所述第一介电层上方的蚀刻停止层以及形成在所述蚀刻停止层上方的第三介电层。