[发明专利]一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用

摘要

本发明公开了一种In掺杂硫化锌薄膜及其制备方法和应用，采用化学浴沉积法制备薄膜，属于非真空化学气相沉积，该方法薄膜成份容易控制、制备成本低、适合进行大规模生产。本发明利用掺入杂质的办法来降低硫化锌薄膜的电阻率，测试表明：当在ZnS中掺杂2at.%的In时，薄膜的杂质相少、光学透过率高（可见光区的光学透过率约为85%）、电阻率低（2.6×105Ωcm）。所制得的ZnS薄膜适用于作为太阳电池的缓冲层材料。

主权项

一种In掺杂ZnS薄膜的制备方法，其特征在于：包括以下步骤：（1）利用化学浴沉积法来制备薄膜，以醋酸锌为锌源、硫代乙酰胺为硫源、柠檬酸钠为络合剂，利用醋酸与醋酸锌配合作为缓冲液控制溶液的pH值；（2）以硫酸铟作为掺杂源对薄膜进行掺杂处理，In元素的掺杂量为ZnS的0 at.% ‑4 at.%；（3）将沉积制得的In掺杂ZnS薄膜在N2气氛中进行退火处理，退火处理的温度为350℃，退火处理的时间为1.5 h，冷却至室温。