[发明专利]薄膜晶体管及其制作方法、修复方法和阵列基板有效
| 申请号： | 201310484547.9 | 申请日： | 2013-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN103489923B | 公开（公告）日： | 2017-02-08 |
| 发明（设计）人： | 金基用;罗丽平;许朝钦;李正勋 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/417;H01L27/12;H01L21/336;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京中博世达专利商标代理有限公司11274 | 代理人： | 申健 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明实施例公开了一种薄膜晶体管及其制作方法、修复方法和阵列基板，涉及显示技术领域，解决了薄膜晶体管经修复后不能正常工作，以及包括该薄膜晶体管的阵列基板经修复后像素单元成为暗点，影响阵列基板良品率的技术问题。该薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，所述源极包括相互独立的第一源极部和第二源极部，所述第一源极部和所述第二源极部分别与所述有源层电连接；和/或，所述漏极包括相互独立的第一漏极部和第二漏极部，所述第一漏极部和所述第二漏极部分别与所述有源层电连接。本发明还提供了一种该薄膜晶体管的制作方法、修复方法和包括该薄膜晶体管的阵列基板。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制作方法 修复 方法 阵列 | ||
【主权项】：
一种阵列基板，所述阵列基板包括多条栅线和多条数据线，以及由所述多条栅线和所述多条数据线限定的多个像素单元，所述像素单元包括像素电极和薄膜晶体管，所述薄膜晶体管，包括：栅极、栅极绝缘层、有源层、源极和漏极，其特征在于，所述源极包括相互独立的第一源极部和第二源极部，所述第一源极部和所述第二源极部分别与所述有源层电连接，所述第一源极部和所述第二源极部分别独立地连接同一数据线。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司，未经京东方科技集团股份有限公司;北京京东方显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310484547.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
