[发明专利]基准电压生成电路无效
| 申请号： | 201310481454.0 | 申请日： | 2013-10-15 |
| 公开（公告）号： | CN103777673A | 公开（公告）日： | 2014-05-07 |
| 发明（设计）人： | 赤堀旭 | 申请（专利权）人： | 拉碧斯半导体株式会社 |
| 主分类号： | G05F3/24 | 分类号： | G05F3/24 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;李洋 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种基准电压生成电路，其能够抑制基准电压上升时的过冲。包括基本电流通路，该基本电流通路至少包括一对共用彼此的栅极电位及源漏电流的NMOS及DMOS；恒流供给电路，其向该基本电流通路供给恒流；以及定时补偿电路，该定时补偿电路包括根据导通信号形成迂回于该NMOS晶体管的迂回电流通路的补偿DMOS晶体管。并且该基准电压生成电路将夹着该NMOS及DMOS晶体管的位置的电位差设为基准电压。 | ||
| 搜索关键词： | 基准 电压 生成 电路 | ||
【主权项】：
一种基准电压生成电路，包括基本电流通路，其至少包括一对共用彼此的栅极电位及源漏电流的NMOS及DMOS；和恒流供给电路，其向所述基本电流通路供给恒流，并将夹着所述NMOS及DMOS的两个位置间的电位差设为基准电压，所述基准电压生成电路的特征在于，包括定时补偿电路，所述定时补偿电路包括根据导通信号形成迂回于所述NMOS的迂回电流通路的补偿DMOS。
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