[发明专利]基准电压生成电路无效

专利信息
申请号: 201310481454.0 申请日: 2013-10-15
公开(公告)号: CN103777673A 公开(公告)日: 2014-05-07
发明(设计)人: 赤堀旭 申请(专利权)人: 拉碧斯半导体株式会社
主分类号: G05F3/24 分类号: G05F3/24
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 舒艳君;李洋
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 基准 电压 生成 电路
【权利要求书】:

1.一种基准电压生成电路,包括基本电流通路,其至少包括一对共用彼此的栅极电位及源漏电流的NMOS及DMOS;和恒流供给电路,其向所述基本电流通路供给恒流,并将夹着所述NMOS及DMOS的两个位置间的电位差设为基准电压,所述基准电压生成电路的特征在于,

包括定时补偿电路,所述定时补偿电路包括根据导通信号形成迂回于所述NMOS的迂回电流通路的补偿DMOS。

2.根据权利要求1所述的基准电压生成电路,其特征在于,

所述恒流供给电路构成为包括与所述基本电流通路的一端连接的恒流源、和与所述基本电流通路的另一端连接的第1开关。

3.根据权利要求1或者2所述的基准电压生成电路,其特征在于,

所述定时补偿电路包括与所述补偿DMOS串联连接且根据所述导通信号而导通的第2开关。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的基准电压生成电路,其特征在于,

所述补偿DMOS的栅极电位与所述NMOS的所述栅极电位是共用的。

5.根据权利要求1~3中任意一项所述的基准电压生成电路,其特征在于,

所述补偿DMOS的栅极与自身的源极连接。

6.根据权利要求1~5中任意一项所述的基准电压生成电路,其特征在于,

所述迂回电流通路至少在所述NMOS的上升开始到完成期间一直存在。

7.根据权利要求1~6中任意一项所述的基准电压生成电路,其特征在于,

所述NMOS的导通电阻值与所述补偿DMOS的导通电阻值相同。

8.根据权利要求1~7中任意一项所述的基准电压生成电路,其特征在于,

还包括脉冲生成电路,在使所述基本电流通路导通的导通信号的输入定时,所述脉冲生成电路生成包括一个脉冲的所述导通信号,

所述定时补偿电路仅在所述脉冲的存在期间使所述迂回电流通路导通。

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