[发明专利]一种触摸屏用ITO导电膜及其制备方法

摘要

本发明涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种触摸屏用ITO导电膜及其制备方法，它包括100-150微米的树脂基体和依次沉积在树脂基体的8-10纳米的第一ITO层、6-8纳米的第二ITO层、4-6纳米的第三ITO层和2-4纳米的第四ITO层，本发明通过四次分层沉积，四次结晶过程，将树脂基体每次都加热到200-240℃，达到了ITO层的重结晶温度150℃，使得ITO每次沉积后都会经历结晶过程，有效的促进了ITO层完善的结晶。本发明为了减少厚度对结晶的影响，将第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层的厚度依次减少。总之，本发明制得的触摸屏用ITO导电膜透过率高、电阻率低、化学稳定性好。

主权项

一种触摸屏用ITO导电膜，其特征在于： 包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，所述树脂基体的厚度为100‑150微米，第一ITO层的厚度为8‑10纳米、第二ITO层的厚度为6‑8纳米、第三ITO层的厚度为4‑6纳米和第四ITO层的厚度为2‑4纳米。