[发明专利]一种触摸屏用ITO导电膜及其制备方法

说明书

技术领域

 本发明涉及触摸屏导电膜技术领域，具体涉及一种触摸屏用ITO导电膜及其制备方法。

背景技术

触摸屏是一种显著改善人机操作界面的输入设备，具有直观、简单、快捷的优点。触摸屏在许多电子产品中已经获得了广泛的应用，比如手机、PDA、多媒体、公共信息查询系统等。触摸屏制作中常用到ITO导电膜，ITO导电膜是指采用磁控溅射的方法，在透明有机薄膜材料上溅射透明氧化铟锡(ITO)导电薄膜镀层得到的高技术产品。ITO（Indium Tin Oxides，铟锡金属氧化物），作为一种典型的N 型氧化物半导体被广泛地运用在手机、MP3、MP4、数码相机等领域。

制备ITO 镀膜的方法有很多，一般为ITO 粉体通过气相沉积法将ITO 沉积到玻璃、金属等基体表面，形成一薄膜层。现有技术制备的ITO膜，其电阻率高、透过率差和化学稳定性差，均不能满足生产要求。

发明内容

本发明的目的在于针对现有技术的不足，提供一种电阻率低、透过率好和化学稳定性好的触摸屏用ITO导电膜及其制备方法。

为了实现上述目的，本发明采用如下技术方案：一种触摸屏用ITO导电膜，包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，所述树脂基体的厚度为100-150微米，第一ITO层的厚度为8-10纳米、第二ITO层的厚度为6-8纳米、第三ITO层的厚度为4-6纳米和第四ITO层的厚度为2-4纳米。

优选的，所述树脂基体的厚度为120-150微米，第一ITO层的厚度为8-9纳米、第二ITO层的厚度为6-7纳米、第三ITO层的厚度为4-5纳米和第四ITO层的厚度为2-3纳米。

更为优选的，所述树脂基体的厚度为100微米，第一ITO层的厚度为10纳米、第二ITO层的厚度为8纳米、第三ITO层的厚度为6纳米和第四ITO层的厚度为4纳米。

其中，所述树脂基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体。

一种触摸屏用ITO导电膜的制备方法，它依次包括以下制备步骤： 

步骤A、将树脂基体放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；

步骤B、树脂基体加热到200-240℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一ITO层后，运送至冷却室冷却至室温；

步骤C、将溅射有第一ITO层的树脂基体加热到200-240℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，运送至冷却室冷却至室温； 

步骤D、将溅射有第二ITO层的树脂基体加热到200-240℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第三次沉积，得到第三ITO层后，运送至冷却室冷却至室温；

步骤E、将溅射有三ITO层的树脂基体加热到200-240℃后运送至溅射室，采用磁控溅射方式进行第四次沉积，得到第四ITO层后，运送至冷却室冷却至室温；

步骤F、将步骤E中冷却后的基片放入卸载室，卸片，得到一种触摸屏用ITO导电膜。

其中，所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5%的氧化铟和重量百分含量为5.5%的氧化锡组成。

其中，所述步骤B的冷却具体分为：

第一阶段冷却：将溅射有第一ITO层的树脂基体以8-10℃/小时的速度冷却至145-155℃；

保温：在145-155℃保温2-4小时；

第二阶段冷却：然后以8-10℃/小时的速度冷却至室温。

其中，所述步骤C的冷却具体分为：

第一阶段冷却：将溅射有第二ITO层的树脂基体以6-8℃/小时的速度冷却至145-155℃；

保温：在145-155℃保温2-4小时；

第二阶段冷却：然后以6-8℃/小时的速度冷却至室温。

其中，所述步骤D的冷却具体分为：

第一阶段冷却：将溅射有第三ITO层的树脂基体以5-6℃/小时的速度冷却至145-155℃；

保温：在145-155℃保温2-4小时；

第二阶段冷却：然后以5-6℃/小时的速度冷却至室温。

其中，所述步骤E的冷却具体分为：

第一阶段冷却：将溅射有第四ITO层的树脂基体以4-5℃/小时的速度冷却至145-155℃；

保温：在145-155℃保温2-4小时；

第二阶段冷却：然后以2-4℃/小时的速度冷却至室温。