[发明专利]一种触摸屏用ITO导电膜及其制备方法

权利要求书

1.一种触摸屏用ITO导电膜，其特征在于： 包括树脂基体和依次沉积在树脂基体的第一ITO层、第二ITO层、第三ITO层和第四ITO层，所述树脂基体的厚度为100-150微米，第一ITO层的厚度为8-10纳米、第二ITO层的厚度为6-8纳米、第三ITO层的厚度为4-6纳米和第四ITO层的厚度为2-4纳米。

2.根据权利要求1所述的一种触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：所述树脂基体的厚度为120-150微米，第一ITO层的厚度为8-9纳米、第二ITO层的厚度为6-7纳米、第三ITO层的厚度为4-5纳米和第四ITO层的厚度为2-3纳米。

3.根据权利要求1所述的一种触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：所述树脂基体的厚度为100微米，第一ITO层的厚度为10纳米、第二ITO层的厚度为8纳米、第三ITO层的厚度为6纳米和第四ITO层的厚度为4纳米。

4.根据权利要求1所述的一种触摸屏用ITO导电膜，其特征在于：所述树脂基体为聚对苯二甲酸乙二醇酯树脂基体。

5.如权利要求1所述的一种触摸屏用ITO导电膜的制备方法，其特征在于：它依次包括以下制备步骤： 

步骤A、将树脂基体放入磁控溅射设备的装载室，密封后进行抽真空；

步骤B、树脂基体加热到200-240℃后，采用磁控溅射方式进行第一次沉积，得到第一ITO层后，冷却至室温；

步骤C、将溅射有第一ITO层的树脂基体加热到200-240℃后，采用磁控溅射方式进行第二次沉积，得到第二ITO层后，冷却至室温； 

步骤D、将溅射有第二ITO层的树脂基体加热到200-240℃后，采用磁控溅射方式进行第三次沉积，得到第三ITO层后，冷却至室温；

步骤E、将溅射有三ITO层的树脂基体加热到200-240℃后，采用磁控溅射方式进行第四次沉积，得到第四ITO层后，冷却至室温；

步骤F、将步骤E中冷却后的基片放入卸载室，卸片，得到一种触摸屏用ITO导电膜。

6.根据权利要求5所述的一种触摸屏用ITO导电膜的制备方法，其特征在于：所述磁控溅射设备所用的氧化铟靶材由重量百分含量为94.5%的氧化铟和重量百分含量为5.5%的氧化锡组成。

7.根据权利要求5所述的一种触摸屏用ITO导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤B的冷却具体分为：

第一阶段冷却：将溅射有第一ITO层的树脂基体以8-10℃/小时的速度冷却至145-155℃；

保温：在145-155℃保温2-4小时；

第二阶段冷却：然后以8-10℃/小时的速度冷却至室温。

8.根据权利要求5所述的一种触摸屏用ITO导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤C的冷却具体分为：

第一阶段冷却：将溅射有第二ITO层的树脂基体以6-8℃/小时的速度冷却至145-155℃；

保温：在145-155℃保温2-4小时；

第二阶段冷却：然后以6-8℃/小时的速度冷却至室温。

9.根据权利要求5所述的一种触摸屏用ITO导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤D的冷却具体分为：

第一阶段冷却：将溅射有第三ITO层的树脂基体以5-6℃/小时的速度冷却至145-155℃；

保温：在145-155℃保温2-4小时；

第二阶段冷却：然后以5-6℃/小时的速度冷却至室温。

10.根据权利要求5所述的一种触摸屏用ITO导电膜的制备方法，其特征在于：所述步骤E的冷却具体分为：

第一阶段冷却：将溅射有第四ITO层的树脂基体以4-5℃/小时的速度冷却至145-155℃；

保温：在145-155℃保温2-4小时；

第二阶段冷却：然后以2-4℃/小时的速度冷却至室温。