[发明专利]一种大面积微波等离子体化学气相沉积系统无效
申请号: | 201310474811.0 | 申请日: | 2013-10-12 |
公开(公告)号: | CN103526187A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 熊礼威;龚国华;汪建华;翁俊;崔晓慧 | 申请(专利权)人: | 武汉工程大学 |
主分类号: | C23C16/517 | 分类号: | C23C16/517;C23C16/511;C23C16/513;C23C16/27 |
代理公司: | 湖北武汉永嘉专利代理有限公司 42102 | 代理人: | 崔友明 |
地址: | 430074 湖北*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | 本发明属于微波等离子体化学气相沉积系统的领域,主要是涉及一种用于制备高质量大面积金刚石膜的微波等离子体化学气相沉积系统。本系统主要包括真空部分和微波导入部分,真空部分包括真空腔和真空腔上盖,真空腔上盖的中心侧表面形成不同特定尺寸的两个凹部,使得真空腔体为多模式腔体,在基片台上方形成由两个模式产生的大面积能量均匀的等离子体球;微波导入部分由下到上主要包括波导、石英环、模式转换天线,基片台与腔体的下部结合以夹持石英环从而保持真空,模式转换天线将微波导入至真空腔内,同时真空腔、模式转换天线以及带水冷的基片台由陶瓷环固定以保持严格的对中。 | ||
搜索关键词: | 一种 大面积 微波 等离子体 化学 沉积 系统 | ||
【主权项】:
一种大面积微波等离子体化学气相沉积系统,该系统包括:真空腔体、上盖、波导、模式转换天线、基片、基片台,其特征在于:所述的真空腔体下部具有导入微波的开口部和抽真空的抽气口,上部具有进气管道的接口;所述的上盖顶部和真空腔四周设有观察窗;上盖上设置有不同尺寸的凹部;微波通过夹持于基片台下方和真空腔体之间的石英环导入真空腔体内;所述的基片台与所述上盖水平平行,其上设置有水冷装置。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的