[发明专利]一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片有效
| 申请号： | 201310473123.2 | 申请日： | 2013-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN103474529A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 魏天使;刘撰;陈立人;余长治;李忠武 | 申请（专利权）人： | 聚灿光电科技（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/02;B23K26/36 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 常亮 |
| 地址： | 215123 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种垂直LED芯片的制作方法以及垂直LED芯片，其操作步骤包括：a）在衬底上制作由N-GaN层、发光层和P-GaN层组成的外延层；b）对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成一个或多个划片槽；c）在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；d）向所述划片槽内填充绝缘材料；e）将所述高反射电极层键合到导热基板上；f）采用激光剥离技术将衬底去除；g）在所述N-GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作，本发明避免由于在激光剥离过程产生反冲或能量过高产生应力，确保本发明垂直LED芯片的成品率以及亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 垂直 led 芯片 制作方法 以及 | ||
【主权项】：
一种垂直LED芯片的制作方法，其特征在于，其操作步骤包括：a）、在衬底上制作由N‑GaN层、发光层和P‑GaN层组成的外延层；b）、对所述外延层进行光刻工艺处理，在外延层上形成1个或多个划片槽；c）、在所述外延层上依次制作接触层和高反射电极层；d）、向所述划片槽内填充绝缘材料；e）、将所述高反射电极层键合到导热基板上；f）、采用激光剥离技术将衬底去除；g）、在所述N‑GaN层上制作N型电极，完成垂直LED芯片的制作。
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