[发明专利]一种半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310471016.6 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104576728B | 公开（公告）日： | 2018-09-21 |
| 发明（设计）人： | 赵猛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336;H01L21/266 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所 11336 | 代理人： | 董巍;高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：提供自下而上层叠的第一衬底材料层和第二衬底材料层，在第二衬底材料层上形成具有凹槽的硬掩膜层；以凹槽为工艺窗口，同时执行相对于所述第二衬底材料层的表面具有第一倾斜夹角的离子注入和具有第二倾斜夹角的离子注入，在第二衬底材料层中形成具有共有顶部的第一离子注入区和第二离子注入区；蚀刻去除第一离子注入区和第二离子注入区，以形成第一沟槽和第二沟槽；在第一沟槽和第二沟槽中外延生长第三衬底材料层。根据本发明，形成由位于第一沟槽和第二沟槽中的第三衬底材料层以及位于二者之间的第二衬底材料层共同构成的沟道区，不需再施加额外应力即可显著提高沟道区的载流子迁移率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件的制造方法，包括：提供自下而上层叠的第一衬底材料层和第二衬底材料层，所述第一衬底材料层和所述第二衬底材料层接触，在所述第二衬底材料层上形成具有凹槽的硬掩膜层；以所述凹槽为工艺窗口，同时执行相对于所述第二衬底材料层的表面具有第一倾斜夹角的离子注入和具有第二倾斜夹角的离子注入，在所述第二衬底材料层中形成具有共有顶部的第一离子注入区和第二离子注入区；蚀刻去除全部的所述第一离子注入区和所述第二离子注入区，以形成第一沟槽和第二沟槽，所述第一沟槽和所述第二沟槽的侧壁倾斜于所述第一衬底材料层；在所述第一沟槽和所述第二沟槽中外延生长第三衬底材料层，其中，位于所述第一沟槽中的第三衬底材料层、位于所述第二沟槽中的第三衬底材料层和位于所述第一沟槽中的第三衬底材料层以及位于所述第二沟槽中的第三衬底材料层之间的第二衬底材料层共同构成所述半导体器件的沟道区。
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