[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201310470307.3 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN103730502B | 公开（公告）日： | 2018-02-27 |
| 发明（设计）人： | 宣敏喆;朴炳国 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社;首尔大学校产学协力团 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所11105 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体器件及其制造方法。该半导体器件具有形成在基板上的各个区域中的环栅器件。环栅器件具有处于不同水平面处的纳米线。第一区域中的环栅器件的阈值电压基于相邻的第二区域中的有源层的厚度。第二区域中的有源层可以处于与第一区域中的纳米线基本上相同的水平面处。因此，第一区域中的纳米线可以具有基于第二区域中的有源层的厚度的厚度，或者所述厚度可以不同。当包括超过一个的有源层时，不同区域中的纳米线可以设置在不同的高度处和/或可以具有不同的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：基板，包括彼此分离的第一区域和第二区域；在所述基板上的结构，该结构具有在所述第二区域中处于第一水平面处的至少一个牺牲层和至少一个有源层；在所述第一区域中包括第一纳米线的第一环栅器件；以及在所述第二区域中包括第二纳米线和栅极的第二环栅器件，其中所述第一纳米线处于所述第一水平面处，并且其中所述第二纳米线处于与所述第一纳米线的所述第一水平面不同的第二水平面处，其中所述第二纳米线在所述第二区域中的所述结构上且不与所述结构接触，并且其中所述栅极的底表面高于所述结构的上表面。
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