[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体及其制造方法在审
| 申请号： | 201310469601.2 | 申请日： | 2013-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN104575919A | 公开（公告）日： | 2015-04-29 |
| 发明（设计）人： | 陈国安;胡伯平;赵玉刚;张瑾 | 申请（专利权）人： | 三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司 |
| 主分类号： | H01F7/02 | 分类号： | H01F7/02;H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;B22F3/02 |
| 代理公司： | 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 | 代理人： | 陈立航;郭红燕 |
| 地址： | 102200*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种烧结钕铁硼磁体及其制造方法。所述烧结钕铁硼磁体的双面表场差在0～1％的范围内，优选在0～0.5％的范围内，更优选在0.01～0.3％的范围内，所述烧结钕铁硼磁体的垂直于取向方向的剩磁与所述取向方向的剩磁的比值小于0.15。本发明提供的制造烧结钕铁硼磁体的方法，其针对现有技术做出改进，用该方法制备的烧结钕铁硼磁体的双面表场差显著地降低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 烧结 钕铁硼 磁体 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种烧结钕铁硼磁体，所述烧结钕铁硼磁体的双面表场差在0～1％的范围内，所述烧结钕铁硼磁体的垂直于取向方向的剩磁与所述取向方向的剩磁的比值小于0.15。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司，未经三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201310469601.2/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：差位式减振垫块
- 下一篇：一种微型贴片电阻器的制备工艺
