[发明专利]一种烧结钕铁硼磁体及其制造方法在审
申请号: | 201310469601.2 | 申请日: | 2013-10-10 |
公开(公告)号: | CN104575919A | 公开(公告)日: | 2015-04-29 |
发明(设计)人: | 陈国安;胡伯平;赵玉刚;张瑾 | 申请(专利权)人: | 三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司 |
主分类号: | H01F7/02 | 分类号: | H01F7/02;H01F1/057;H01F1/08;H01F41/02;B22F3/02 |
代理公司: | 北京航忱知识产权代理事务所(普通合伙) 11377 | 代理人: | 陈立航;郭红燕 |
地址: | 102200*** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 烧结 钕铁硼 磁体 及其 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及一种双面表场差有效降低的烧结钕铁硼磁体及其制造方法。
背景技术
众所周知,烧结钕铁硼磁体在粉末压制成型的过程中,主相晶粒的取向方向与外加磁场的方向难以完全相同,后续加工也会对磁体的双面表场差(即磁体双面表面磁通密度之间的差)产生一定的影响。由于单个磁体的双面表场存在差异性,导致磁场的一致性和稳定性受到影响。当需要多个磁体组合成一个稳定磁路时,例如波荡器系统,要求所使用的多个磁体的双面表场具有良好的一致性,以便形成稳定磁场。
目前降低烧结钕铁硼磁体双面表场差的方法主要集中在毛坯的粉末压型阶段,例如通过提高模具取向场的均匀性(使钕铁硼微粉处于模具取向场的均匀区)来改善烧结钕铁硼磁体的双面表场差。然而,仅仅通过改进模具取向场的均匀性并不能最大限度的降低磁体的双面表场差。
发明内容
鉴于上述问题,本发明提供一种双面表场差显著降低的烧结钕铁硼磁体。本发明还提供一种制造烧结钕铁硼磁体的方法,其针对现有方法做出改进,能显著降低通过该方法制造的烧结钕铁硼磁体的双面表场差。
所述烧结钕铁硼磁体的双面表场差在0~1%的范围内,所述烧结钕铁硼磁体的垂直于取向方向的剩磁与所述取向方向的剩磁的比值小于0.15。
所述双面表场差优选在0~0.5%的范围内,更优选在0.01~0.3%的范围内。
本发明提供的制造烧结钕铁硼磁体的方法,包括以下步骤:熔炼原材料制备铸锭;粉碎所述铸锭制备微粉末;对所述微粉末进行超声波振动处理;压制经超声波振动处理后的微粉末来形成压坯,所用模具是高强度石墨复合模具;烧结,将所述压坯放入料盒时,所述压坯的取向方向垂直于所述料盒的底面,在每盒所述压坯上放置石墨板、钼板或C-C复合板。
所述超声波振动处理的条件是超声波频率为20~68KH z、处理时间为5~1800s。
所述石墨板、钼板或C-C复合板的厚度优选是0.2~1.0mm。
本发明针对现有技术做出改进。例如,用超声波振动对微粉进行处理,以降低磁粉间的团聚效应,从而有助于提高磁粉取向的一致。此外,压制形成压坯时使用高强度石墨复合模具,以帮助保持磁粉在取向过程中的一致性和均匀性。改进烧结时压坯的码盒方式,这样进一步保证了取向的一致性。上述制造方法的改进使烧结钕铁硼磁体的双面表场差显著地降低,从而确保了磁体产品能在汽车传感器等高端产品中应用。
具体实施方式
下面对本发明的一个具体实施方式进行说明。
本具体实施方式的制造烧结钕铁硼磁体的方法,具体如下。
第一步,熔炼。使用常规的技术熔炼制备R-F e-B系稀土合金的铸锭,铸锭厚度为0.2~25mm。
第二步,制备微粉末。首先,用机械破碎或氢破碎的方法粉碎铸锭,得到<0.1mm左右的稀土合金粗粉末。然后,将粗粉末在气流磨中用氮气、氩气或混合气体进行微粉碎,得到平均粒径为3~5μm的微粉末。
第三步,对微粉末进行超声波振动处理。在氮气或惰性气体保护下进行,超声波频率为20~68KH z,处理时间为5~1800s。超声波振动处理的目的是去除钕铁硼微粉末的磁团聚效应,提高钕铁硼微粉末在后续压型过程中的取向度水平。
第四步,压制成型。将超声波处理后的微粉末放在模具中通过磁场取向压制成型,得到压坯产品。为了提高模具中磁场的均匀性,改善磁体的磁偏角,使处理后的磁粉取向更为容易、均匀、一致,本实施方式所用的模具为高强度石墨复合模具。
第五步,烧结。将压坯放入料盒中,在本领域公知的烧结温度下进行烧结和时效处理,得到毛坯产品。码盘过程中将压坯的取向方向垂直于料盒的底面放置,以保证磁体的取向方向不受磁体收缩的影响而产生偏移,从而能在烧结过程中最大限度地保持磁体的取向一致性。此外,在每盒压坯的上端面放置一块0.2~1.0mm的石墨板、钼板或C-C复合板,以便对压坯施加一个微压力,从而保证在磁体晶粒长大过程中磁体的取向不产生偏移。
第六步,回火。用本领域公知的方法对烧结后的压坯进行回火处理。
以下结合对比例和实施例对本具体实施方式进行详细的说明。
对比例1
对比例1的钕铁硼磁体的化学成分为:钕(Nd)31.9%、镝(Dy)1.0%、钴(Co)1.0%、铜(Cu)0.10%、镓(Ga)0.12%、铌(Nb)0.3%、硼(B)0.97%,其余为铁。
对比例1磁体的制备过程具体如下。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司,未经三环瓦克华(北京)磁性器件有限公司;北京中科三环高技术股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310469601.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:差位式减振垫块
- 下一篇:一种微型贴片电阻器的制备工艺