[发明专利]P型双面太阳电池的制作方法有效
| 申请号： | 201310466393.0 | 申请日： | 2013-10-09 |
| 公开（公告）号： | CN103474515A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 贾河顺;姜言森;方亮;任现坤;徐振华;张春艳;马继磊 | 申请（专利权）人： | 山东力诺太阳能电力股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18 |
| 代理公司： | 济南舜源专利事务所有限公司 37205 | 代理人： | 宋玉霞 |
| 地址： | 250103 山东省济南*** | 国省代码： | 山东;37 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种P型双面晶硅太阳电池的制作方法，包括以下步骤：①晶硅表面制绒；②在晶硅的背面局部印刷遮挡层；③双面硼扩散；④去除遮挡层和硼硅玻璃层；⑤双面减反射膜制备；⑥丝网印刷及烧结。本方法与传统晶硅太阳电池制作方法比较，不但一次性扩散就可以实现双面受光晶硅太阳电池，增加太阳电池的PN结面积，提高发电效率，而且可以减少边缘隔离工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 双面 太阳电池 制作方法 | ||
【主权项】：
一种P型双面太阳电池的制作方法，依次包括以下步骤：①晶硅表面制绒；②在晶硅的背面局部印刷遮挡层；③双面硼扩散；④去除遮挡层和硼硅玻璃层；⑤双面减反射膜制备；⑥丝网印刷及烧结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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