[发明专利]P型双面太阳电池的制作方法

权利要求书

1.一种P型双面太阳电池的制作方法，依次包括以下步骤：

①晶硅表面制绒；

②在晶硅的背面局部印刷遮挡层；

③双面硼扩散；

④去除遮挡层和硼硅玻璃层；

⑤双面减反射膜制备；

⑥丝网印刷及烧结。

2. 根据权利要求1所述的P型双面太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤②中在晶硅背面用丝网印刷、喷涂或旋涂方法形成局部遮挡层。

3. 根据权利要求1所述的P型双面太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤②中遮挡层为石蜡和/或氧化硅。

4. 根据权利要求1所述的P型双面太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤④中去除遮挡层用HF、HCl和HNO₃混合液进行化学腐蚀。

5. 根据权利要求1所述的P型双面太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤⑤的减反射膜为氮化硅、氧化硅、氧化铝中的一种或者几种。

6. 根据权利要求1所述的P型双面太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤⑥中，正面丝网印刷Ag电极。

7. 根据权利要求1所述的P型双面太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤⑥中，在步骤②的遮挡层位置丝网印刷背面电极a。

8. 根据权利要求7所述的P型双面太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤⑥中，在遮挡层之外的位置印刷背面电极b。

9. 根据权利要求7所述的P型双面太阳电池的制作方法，其特征在于，步骤⑥中，背面电极a为Ag或Al电极，背面电极b为Ag电极。