[发明专利]高效率硅控整流装置

摘要

本发明是揭露一种高效率硅控整流装置，其包含一P型区域，此围绕一N型区域。N型区域中设有一第一P型重掺杂区，其连接一高电压端。多个第二N型重掺杂区设于N型区域中。多个第二P型重掺杂区较第一N型重掺杂区更接近第二N型重掺杂区，并设于P型区域中。至少一第三N型掺杂区设于P型区域中，且连接一低电压端。此外，一者为第二N型重掺杂区位于P型区域中，另一者为第二P型重掺杂区位于N型区域中，此二条件可选择性或同时满足。

主权项

一种高效率硅控整流装置，其特征在于，包含：一P型基板；一N型井区，其设于该P型基板中；一第一P型重掺杂区，其设于该N型井区中，并连接一高电压端；至少一第一N型重掺杂区，其设于该N型井区中，并连接该高电压端；多个第二N型重掺杂区，其均匀地设于该N型井区中，该多个第二N型重掺杂区与该第一N型重掺杂区位于该第一P型重掺杂区的外侧；多个第二P型重掺杂区，其均匀地设于该P型基板中，并较该第一N型重掺杂区更接近该多个第二N型重掺杂区，且均匀地设于该N型井区的外侧；以及至少一第三N型重掺杂区，其设于该P型基板中，并连接一低电压端，该多个第二P型重掺杂区设于该第三N型重掺杂区与该N型井区之间，该多个第二N型重掺杂区与该多个第二P型重掺杂区是符合第一条件、第二条件或此二者，该第一条件为该多个第二N型重掺杂区向该第三N型重掺杂区延伸，并设于该P型基板中，该第二条件为该多个第二P型重掺杂区向该第一P型重掺杂区延伸，并设于该N型井区中。