[发明专利]一种具有隧道结结构的氮极性面发光二极管有效
| 申请号： | 201310464192.7 | 申请日： | 2013-10-08 |
| 公开（公告）号： | CN103489975A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 张雄;杨旭;崔一平 | 申请（专利权）人： | 东南大学 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 | 代理人： | 杨晓玲 |
| 地址： | 211102 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有隧道结结构的氮极性面发光二极管，包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底、低温成核层、非掺杂半导体层、n型半导体层、多量子阱有源层、p-AlGaN电子阻挡层、p型半导体层、p+-GaN层、非掺杂InxAlyGa1-x-yN层、n型超晶格结构层和金属电极，所述p+-GaN层、非掺杂InxAlyGa1-x-yN层和n型超晶格结构层共同构成p-i-n隧道结结构。本发明利用p-i-n隧道结结构作为LED芯片顶部的欧姆接触层，既可以提高LED器件电流扩展能力，从而降低整个芯片的开启电压，又能有效地提高芯片的光输出功率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 隧道 结构 极性 发光二极管 | ||
【主权项】：
一种具有隧道结结构的氮极性面发光二极管，其特征在于：包括由下至上依次设置的蓝宝石衬底（101）、低温成核层（102）、非掺杂半导体层（103）、n型半导体层（104）、多量子阱有源层（105）、p‑AlGaN电子阻挡层（106）、p型半导体层（107）、p+‑GaN层（108）、非掺杂InxAlyGa1‑x‑yN层（109）、n型超晶格结构层（110）和金属电极（111），所述p+‑GaN层（108）、非掺杂InxAlyGa1‑x‑yN层（109）和n型超晶格结构层（110）共同构成p‑i‑n隧道结结构。
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