[发明专利]一种制作半导体器件的方法有效
| 申请号： | 201310459990.0 | 申请日： | 2013-09-27 |
| 公开（公告）号： | CN104517802B | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 舒强;张海洋;李天慧 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G03F1/36;G03F7/00 |
| 代理公司： | 北京市磐华律师事务所11336 | 代理人： | 董巍,高伟 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作半导体器件的方法，包括提供设计掩膜版，所述设计掩膜版包括多个设计主线条图案；通过延长所述设计主线条图案的长度或在所述设计主线条图案的端点处添加辅助虚拟条状图案，进而得到修正后的设计掩膜版；根据所述修正后的设计掩膜版制作光刻掩膜版；使用所述光刻掩膜版对晶片进行光刻和蚀刻；最后根据设计需要使用切割掩膜版切去不需要的辅助线条。根据本发明的制备半导体器件的方法，解决在进行硅半导体衬底的微图案制程时产生的线条容易断掉的问题，以确保掩膜版上的图案完整的转移到硅半导体衬底上，进而提高了制备的半导体器件结构的可靠性和生产效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制作 半导体器件 方法 | ||
【主权项】：
一种制作半导体器件的方法，包括：提供设计掩膜版，所述设计掩膜版包括多个设计主线条图案；通过延长所述设计主线条图案的长度或在所述设计主线条图案的端点处添加辅助虚拟条状图案，进而得到修正后的设计掩膜版，以实现去除设计主线条图案受到的拉伸应力的作用；根据所述修正后的设计掩膜版制作光刻掩膜版；使用所述光刻掩膜版对晶片进行光刻和蚀刻，以将延长长度的所述设计主线条图案或所述辅助虚拟条状图案以及添加所述辅助虚拟条状图案的所述设计主线条图案转移至所述晶片上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
