[发明专利]提高氮化硅基薄膜发光二极管发光效率的器件及制备方法有效
| 申请号： | 201310459580.6 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103474541A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 黄锐;林泽文;林圳旭;宋超;王祥;郭艳青;宋捷 | 申请（专利权）人： | 韩山师范学院 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/02;H01L33/00 |
| 代理公司： | 南京知识律师事务所 32207 | 代理人： | 李媛媛 |
| 地址： | 521041 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种提高氮化硅基发光二极管发光效率的器件及制备方法，属于半导体发光器件技术领域。该方法的主要步骤为：以p-Si作为空穴注入层，在其上淀积超薄非晶硅薄膜；然而在其上淀积氮化硅基薄膜作为发光有源层；再放入退火炉内，先后完成脱氢退火和稳态高温退火，使得超薄非晶硅薄膜转化为纳米硅薄膜；之后，在氮化硅基发光有源层上淀积留有光学窗口的AZO透明导电薄膜。本发明的主要有益效果是：超薄纳米硅在器件中作为空穴阻挡层，有效地抑制空穴载流子的过多注入，从而促进电子、空穴的平衡注入，提高器件的发光效率。本发明制备过程简单，有很好的可控性，与当前微电子工艺相兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 氮化 薄膜 发光二极管 发光 效率 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
提高氮化硅基薄膜发光二极管发光效率的器件，包括金属电极、p‑Si空穴注入层、SiNx发光有源层和AZO薄膜，其特征在于，在所述p‑Si空穴注入层与SiNx发光有源层之间还有一层超薄纳米晶体硅层作为空穴阻挡层。
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