[发明专利]光电二极管栅极介电保护层

摘要

本发明涉及一种有源像素传感器及其相关的形成方法，其中，有源像素传感器具有在制造过程中降低对下面的栅极介电层的损害的栅极介电保护层。在一些实施例中，有源像素传感器具有设置在半导体衬底内的光电检测器。具有第一栅极结构的转移晶体管位于设置在半导体衬底之上的第一栅极介电层上。具有第二栅极结构的复位晶体管位于第一栅极介电层上。栅极介电保护层设置栅极氧化物上在第一栅极结构和第二栅极结构之间延伸的位置处以及位于光电检测器上方的位置处。栅极介电保护层保护第一栅极介电层在有源像素传感器的制造过程中免于蚀刻步骤。

主权项

一种有源像素传感器APS，包括：光电检测器，设置在半导体衬底内；转移晶体管，与所述光电检测器相邻并包括位于设置在所述半导体衬底之上的第一栅极介电层上方的第一栅极结构；复位晶体管，包括位于所述第一栅极介电层上方的第二栅极结构；以及栅极介电保护层，在覆盖所述光电检测器的第一地点处以及从第一位置延伸到第二位置的第二地点处设置在所述第一栅极介电层上，所述第一位置位于与所述第一栅极结构侧面相接的第一侧壁间隔件与所述第一栅极介电层之间，所述第二位置位于与所述第二栅极结构侧面相接的第二侧壁间隔件与所述第一栅极介电层之间；其中，所述栅极介电保护层设置在所述半导体衬底上方中覆盖所述第一栅极介电层的位置处，所述栅极介电保护层在所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的栅极材料的部分侧壁上延伸而没有覆盖所述第一栅极结构和所述第二栅极结构的顶部。