[发明专利]自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法在审
| 申请号： | 201310455370.X | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104517893A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 童津泓 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及自组装单层原位气相沉积作为铜助粘剂及扩散阻障件的方法。铜区域在介电层中形成。包含有自组装单层的扩散阻障件沉积在铜区域上方。覆盖层沉积在自组装单层上方。在某些具体实施例中，覆盖层及自组装单层沉积在相同的处理室中。 | ||
| 搜索关键词： | 组装 单层 原位 沉积 作为 铜助粘剂 扩散 阻障 方法 | ||
【主权项】：
一种形成半导体结构的方法，其包含：在介电层中形成通孔；在该通孔中形成第一阻障层；在该通孔中形成铜区域；在该铜区域上方沉积第二阻障层；以及在该第二阻障层上方沉积覆盖层；其中，沉积该第二阻障层包含在化学气相沉积工具室中沉积自组装单层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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