[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310454902.8 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104518033A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 林威廷;郑君丞 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制造方法，该薄膜晶体管包括闸极、闸极绝缘层、氧化物半导体层、源极及漏极；闸极绝缘层覆盖该闸极；氧化物半导体层设置于该闸极绝缘层上；该源极与该漏极彼此绝缘地配置于该氧化物半导体层的两侧；其中，该闸极与该氧化物半导体层在水平方向上的投影具有重叠区域，该闸极绝缘层于该水平方向上具有第一区域及第二区域，该第一区域于垂直方向上具有第一厚度，该第二区域于该垂直方向上具有第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度，该第一区域在该水平方向上的投影落在该重叠区域中。本发明通过设计具有不同厚度的闸极绝缘层，达到改变临界电压的目的。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于包括：闸极；闸极绝缘层，覆盖该闸极；氧化物半导体层，设置于该闸极绝缘层上；以及源极及漏极，该源极与该漏极彼此绝缘地配置于该氧化物半导体层的两侧；其中，该闸极与该氧化物半导体层在水平方向上的投影具有重叠区域，该闸极绝缘层于该水平方向上具有第一区域及第二区域，该第一区域于垂直方向上具有第一厚度，该第二区域于该垂直方向上具有第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度，该第一区域在该水平方向上的投影落在该重叠区域中。
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