[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法无效
| 申请号： | 201310454902.8 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN104518033A | 公开（公告）日： | 2015-04-15 |
| 发明（设计）人： | 林威廷;郑君丞 | 申请（专利权）人： | 友达光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L29/423;H01L21/336;H01L21/28 |
| 代理公司： | 上海波拓知识产权代理有限公司 31264 | 代理人： | 杨波 |
| 地址： | 中国台湾新竹科*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管，其特征在于包括：
闸极；
闸极绝缘层，覆盖该闸极；
氧化物半导体层，设置于该闸极绝缘层上；以及
源极及漏极，该源极与该漏极彼此绝缘地配置于该氧化物半导体层的两侧；
其中，该闸极与该氧化物半导体层在水平方向上的投影具有重叠区域，该闸极绝缘层于该水平方向上具有第一区域及第二区域，该第一区域于垂直方向上具有第一厚度，该第二区域于该垂直方向上具有第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度，该第一区域在该水平方向上的投影落在该重叠区域中。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该第一区域在该水平方向上的该投影的面积小于或等于该重叠区域的面积。
3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该薄膜晶体管还包含半导体保护层，该半导体保护层设置于该氧化物半导体层的上方，该源极覆盖部分该氧化物半导体层及部分该半导体保护层，且该漏极覆盖部分该氧化物半导体层及部分该半导体保护层。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其特征在于：该薄膜晶体管还包含保护层，该保护层覆盖该源极、该漏极以及该氧化物半导体层，该保护层具有开口，露出该漏极。
5.如权利要求4所述的薄膜晶体管，其特征在于：该薄膜晶体管还包含像素电极，该像素电极由该开口电性连接至该漏极。
6.一种薄膜晶体管的制造方法，其特征在于包括步骤：
于基板上形成闸极；
于该基板上形成闸极绝缘层，该闸极绝缘层覆盖该闸极；
于该闸极绝缘层上方形成氧化物半导体层；
于该氧化物半导体层的两侧形成彼此绝缘的源极及漏极；
其中，该闸极与该氧化物半导体层在水平方向上的投影具有重叠区域，该闸极绝缘层于该水平方向上具有第一区域及第二区域，该第一区域于垂直方向上具有第一厚度，该第二区域于该垂直方向上具有第二厚度，该第一厚度大于该第二厚度，该第一区域在该水平方向上的投影落在该重叠区域中。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：该第一区域在该水平方向上的该投影的面积小于或等于该重叠区域的面积。
8.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：于该氧化物半导体层上方形成半导体保护层，该源极覆盖部分该氧化物半导体层及部分该半导体保护层，且该漏极覆盖部分该氧化物半导体层及部分该半导体保护层。
9.如权利要求6所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：形成保护层，该保护层覆盖该源极、该漏极以及该氧化物半导体层，并于该保护层上形成开口，露出该漏极。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于：形成像素电极，该像素电极由该开口电性连接至该漏极。
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