[发明专利]一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法有效
| 申请号： | 201310454566.7 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103489754A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 孙海涛;杨洪璋;路程;刘琦;吕杭炳;龙世兵;谢常青;刘明 | 申请（专利权）人： | 中国科学院微电子研究所 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/027;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 任岩 |
| 地址： | 100083 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法，包括:衬底预备;光刻形成惰性电极图形;电子束蒸发惰性电极金属;剥离形成惰性电极;套刻形成活性电极图形;电子束蒸发活性电极金属;剥离形成两端电极平面器件;以及在电场激励下形成银金属纳米颗粒。利用本发明，通过电化学反应的方法，调整电场激励过程中的电流值，可以获得不同尺寸的金属纳米颗粒，并且在不同的衬底材料上金属纳米颗粒的分布也不同，既可以获得链状排布的金属纳米颗粒又可以获得面分布的金属颗粒，实现极小尺寸金属纳米颗粒，流程简单，可控性较强，所形成的金属纳米颗粒不受化学试剂的污染与影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 尺寸 纳米 颗粒 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种小尺寸银纳米颗粒的制备方法，其特征在于，包括:衬底预备;光刻形成惰性电极图形;电子束蒸发惰性电极金属;剥离形成惰性电极;套刻形成活性电极图形;电子束蒸发活性电极金属;剥离形成两端电极平面器件;以及在电场激励下形成银金属纳米颗粒。
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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