[发明专利]一种体硅MOSFET结构有效
| 申请号： | 201310454462.6 | 申请日： | 2013-09-29 |
| 公开（公告）号： | CN103500760A | 公开（公告）日： | 2014-01-08 |
| 发明（设计）人： | 王颖;贺晓雯;曹菲;邵雷 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工程大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码： | 黑龙江;23 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种体硅MOSFET结构。该结构包括：p+层（2）和n-层（3）；其中，所述p+层（2）和所述n-层（3）直接接触，n-层使用宽禁带的6H-SiC材料。该结构提高了体硅结构的抗辐照能力。相对于SOI技术而言，该结构改善了自加热效应，消除了总剂量效应，降低了成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 mosfet 结构 | ||
【主权项】：
一种体硅金属氧化物半导体场效应管MOSFET结构，其特征在于，包括：p+层（2）和n‑层（3）；其中，所述p+层（2）和所述n‑层（3）直接接触。
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